类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2023-05-05 11:23:07 | 490 次阅读
Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件(SMD),采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供TransphormSuperGaN? d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势,并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。因此,这六款设备可在e-mode GaN解决方案中轻松用作第一设计源,或用作引脚对引脚兼容的插拔式替换和/或第二来源。
对于需要SuperGaN平台的额外热性能的电源系统,Transphorm另提供采用经优化Performance封装的SMD。无论何种封装,所有Transphorm器件都具有易于设计和驱动的特点,因为d-mode配置使用的是与GaN HEMT配对的低电压Silicon MOSFET。该平台配置还允许使用标准的现成品控制器和/或驱动器,进一步提升了Transphorm系列产品的卓越驱动性和可设计性。
Transphorm业务拓展和营销副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm持续生产强大的GaN器件组合,覆盖了 当今广泛的功率范围。通过推出这些行业标准封装,我们进一步巩固了我们的低功率策略,而在此前,我们刚刚发布了与Weltrend半导体共同开发的SiP封装。现在客户可以选择如何利用SuperGaN的优势,不论是通过Performance封装、引脚对引脚e-mode兼容的行业标准封装还是通过系统级封装。”
SuperGaN插拔式替换的优势
经证明,用SuperGaN d-mode FET替换e-mode器件能够降低传导损耗,提供更高的性能和更低的工作温度,从而实现更长的寿命可靠性。这是由于与e-mode GaN常闭式设备相比,d-mode GaN常闭式设备从根本上具有内在的优势。近的直接比较便可为此提供证明,该测试用72 mΩ SuperGaN技术替换了280W游戏笔记本电脑充电器的50 mΩ e-mode设备:https://bit.ly/diraztbISP。
充电器分析中,SuperGaN FET可以在控制器的输出电压范围内工作(而e-mode需要电平转换),且温度更低。SuperGaN的电阻温度系数(TCR)约比e-mode低 25%,有助于降低传导损耗。此外,外围元件数量减少了20%,表明原材料成本也更低。
行业标准的SMD系列产品
Transphorm的行业标准PQFN设备清单如下:
这些设备共享的主要特点包括:
· 符合JEDEC标准
· 动态RDS(on)eff生产测试
· 市场领先的稳健设计,宽栅极安全裕度,瞬态过电压能力
· 极低的逆向恢复电荷
· 减少交叉损耗
目标应用
72 mΩ FET的优化设计适用于数据通信、广泛的工业、光伏逆变器、伺服电机、计算系统和普通消费类应用。
150、240和480 mΩ FET的优化设计适用于功率适配器、低功率开关电源、照明和低功率消费类应用。
上一篇:DRAM价格触底还要等等
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。