三星电子在业界率先量产第五代 HBM（称为“HBM3E”），以扭转人工智能半导体关键组件高带宽内存（HBM）的市场动态。 12层，今年上半年。
2 月 27 日，三星宣布开发出 HBM3E 12H，该产品采用硅通孔 (TSV) 技术堆叠多达 12 层 24 Gb DRAM 芯片。该产品带宽可达1280GB每秒，容量业界36GB。它能够在一秒钟内大约 40 部超高清电影，每部大小为 30 GB。与前代产品HBM3 8H相比，性能和容量均提升了50%以上。
HBM 是一种垂直堆叠单个 DRAM 的产品，以提高数据处理速度和功效。一个挑战是管理随着 DRAM 堆叠得更高而产生的热量，这也会增加 HBM 的厚度，使热控制变得更加困难。另一个问题是由于芯片更薄而导致的物理弯曲。为了克服这些挑战，三星采用了先进热压缩非导电薄膜（Advanced TC NCF）。该技术涉及在 DRAM 之间插入不导电粘合膜以结合 HBM，限度地减少弯曲并有利于高层堆叠。
尽管是 12 层，但该产品的高度与之前的 8 层版本相同。三星不断降低NCF材料的厚度，实现了业界的芯片间隙7微米(um)，与HBM3 8H相比，垂直集成密度提高了20%以上。
采用改进的 HBM3E 12H 的服务器公司有望由于图形处理单元 (GPU) 使用量的减少而降低总拥有成本 (TCO)。在服务器系统中应用HBM3E 12H，与使用HBM3 8H相比，可以将AI训练速度平均提高34%。作为推断，它允许多 11.5 倍的 AI 用户服务。
三星已经向主要客户发送了HBM3E 12H的样品，计划于今年上半年进行量产。新产品的成功开发被视为三星在下一代HBM市场竞争中取得领先的关键时刻。虽然SK海力士和美光已经完成了HBM3E的开发并宣布上半年量产，但他们的产品都是8层的。迄今为止，三星是一家宣布成功开发12层产品的公司。
今年，三星计划通过大量设施投资，将 HBM供应量比去年增加 2.5 倍以上。该计划旨在利用供不应求的 HBM 市场稳定的产能，快速扩大市场份额。
