长鑫存储在 LPDDR 技术上取得了显著进展，其在智能手机、IT 设备、机器人以及自动驾驶汽车等领域应用的 LPDDR 技术已逼近韩国水平，并且已经开始着手下一代 LPDDR6 技术的开发。
为了保持领先地位，不被轻易赶超，三星电子 DS 部门副董事长全永铉预计将在今年下半年通过 “1c DRAM” 工艺开发出下一代 “LPDDR6” 内存，并实现量产。之后，三星计划向高通等科技巨头供货。DRAM 工艺按照 1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代）的顺序发展，每一代迭代都会使线宽更细，进而提高内存的性能和能效。
半导体行业分析认为，从当前的开发速度来看，长鑫存储早可能在 2026 年实现 LPDDR6 量产，该企业已于 2023 年底实现 LPDDR5 商用，与三星电子的量产时间相差不足一年。这意味着长鑫存储在内存技术上的追赶势头强劲，未来市场竞争将更加激烈。
此前，SamMobile 报道称，高通预计将在其下一代笔记本电脑 SoC “骁龙 X Elite 2” 中采用 LPDDR6 内存，而该芯片预计将于今年 9 月 23 日的骁龙峰会首发亮相。这也为 LPDDR6 内存的市场应用提供了新的契机。
另外，BusinessPost 表示，长鑫存储已宣布在 2026 年前逐步停止生产 DDR4 DRAM 并转向 DDR5，其目标是在今年年底前将月产量提高到 30 万片晶圆，约为三星电子 2024 年月产量的 45%。《电子时报》（DigiTimes）预计，到 2025 年底，DDR5、LPDDR5X 和 LPDDR5 将占长鑫存储 DRAM 总产量的 60% 左右。
