SK海力士9月26日宣布，已开始量产全球首款36GB HBM3E 12层产品。目前，36GB是市场上容量的HBM。
HBM 是一种高性能产品，通过垂直连接多个 D-RAM，与传统 D-RAM 相比，它彻底改变了数据处理速度。 HBM按照以下顺序开发：第一代（HBM）、第二代（HBM2）、第三代（HBM2E）、第四代（HBM3）和第五代（HBM3E）。 HBM3E 是 HBM3 的扩展版本。 HBM3E 的容量为 24GB，这是通过垂直堆叠 8 个 3GB D-RAM 芯片实现的。
SK海力士计划在今年内向客户提供量产的HBM3E。 SK海力士表示，继今年3月份向客户交付业界首款8层HBM3E产品六个月后，该公司再次展示了其技术实力。
这家韩国芯片制造商表示，其12层HBM3E产品在速度、容量和可靠性方面满足全球标准，所有这些都是提升AI存储器性能的关键。
SK海力士已将该产品的运行速度提高至9.6 Gbps，以使其成为市场上快的内存。这意味着配备四款新产品的单个 GPU 在运行大型语言模型 (LLM) Lama 3 70B 时，每秒可读取全部 700 亿个参数 35 次。
SK海力士还通过以与8层产品相同的厚度堆叠12个3GB D-RAM芯片，将新芯片的容量提高了50%。为了实现这一目标，每个 D-RAM 芯片都比以前薄了 40%，并使用硅通孔 (TSV) 技术垂直堆叠。
TSV 是一种先进的封装技术，可在 D-RAM 芯片上钻出数千个微小孔，将顶层和底层芯片中的孔与垂直穿过孔的电极连接起来。
SK海力士还解决了将更薄的芯片堆叠得更高的问题。该芯片制造商将其核心技术先进的MR-MUF工艺技术应用于该产品，与上一代产品相比，散热性能提高了10%，并通过增强的翘曲控制确保了产品的稳定性和可靠性。
MR-MUF是一种将半导体芯片彼此堆叠在一起并向芯片之间的空间注入液体保护材料以保护它们之间的电路，然后使液体保护材料硬化的工艺。与在堆叠每个芯片后铺设薄膜材料的方法相比，该工艺据说在散热方面更加高效和有效。与现有工艺相比，SK海力士先进的MR-MUF减少了堆叠芯片时施加的压力。该公司强调，它还提供更好的翘曲控制，这对于确保稳定的 HBM 批量生产至关重要。
