东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的款1200 V SiC MOSFET

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-11-13 11:26:43 | 780 次阅读

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品,供客户评估。

  当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时,其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD(肖特基势垒二极管)以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题,但如若将SBD布置在芯片上,会减少为通道提供的板面积,板面积不仅可决定MOSFET导通工作的电阻,而且还可增加芯片的导通电阻。
  X5M007E120中嵌入的SBD采用格纹形态排列,没有采用常用的条形形态,这种排列可高效抑制器件体二极管的双极通电,而且即便占用相同的SBD挂载面积,也能将单极工作的上限提升到大约两倍的当前面积。此外,也可针对条形阵列提高通道密度,而且单位面积的导通电阻很低,大约降低了20 %至30 %[5]。这一提高的性能、低导通电阻以及针对反向导通工作保持的可靠性,可节省用于电机控制的逆变器的电能,例如牵引逆变器。
关键词:车载牵引逆变器

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