韩国芯片制造巨头 SK 海力士近日宣布了一项重要战略举措，将在忠清北道清州市建设第七个半导体后处理设施，旨在进一步提升其半导体封装和测试能力。
据业内人士 6 月 24 日消息，SK 海力士已通过内部公告告知员工，将拆除位于清州第二工厂所在地的一栋旧厂房，为新建的 “P&T（封装与测试）7” 工厂腾出空间。拆除工作预计于 9 月完成。新工厂将与 SK 海力士位于利川和清州的现有后端工厂协同作战，进一步扩展其封装和测试（P&T）工艺的基础设施。虽然新工厂的具体时间表和详细运营计划尚未终确定，但外界普遍预计该工厂将作为测试工厂投入使用。
随着半导体工艺微型化达到极限，封装对于提升半导体性能和功率效率变得至关重要。特别是在高带宽内存（HBM）芯片领域，由于涉及堆叠多层 DRAM，先进的封装技术对于控制热量和防止翘曲起着关键作用。SK 海力士相关人士表示，“此举的目的是扩大设施，增强我们在后处理方面的竞争力，因为半导体后处理的重要性日益增加。”
清州地区在韩国半导体产业中占据着重要地位，SK 海力士此前已在该地区建立了多个工厂，如 M15 工厂，旨在增强其在 NAND 闪存业务领域的实力。此次新建 P&T 7 工厂，将进一步强化清州作为核心制造枢纽的地位，提升其在半导体封装和测试领域的竞争力。此外，清州与韩国其他重要半导体生产基地如利川、龙仁等形成了紧密的产业集群效应。韩国政府计划在京畿道和忠清道规划全球规模的半导体产业供应链，清州便是其中的重要组成部分。这种产业集群效应不仅有助于降低物流成本，还能促进技术和人才的交流，推动清州地区的产业发展。
在竞争对手方面，三星电子和美光等公司在封装和测试领域也有着积极的布局，它们同样在积极发展先进封装技术，以满足 HBM 和 AI 芯片的需求。SK 海力士的新工厂是否会在技术路线或产能上形成差异化竞争，将是未来值得关注的重点。
从行业趋势来看，随着摩尔定律逐渐接近物理极限，传统的硅基工艺缩放已难以持续带来性能的显著提升，且成本不断攀升。在此背景下，先进封装技术成为推动半导体行业发展的关键路径之一。例如，高带宽存储器（HBM）依赖于多层 DRAM 的堆叠，解决散热和翘曲问题的封装技术至关重要。同时，先进封装还带来了更高的设计灵活性和功能多样性，通过异构集成，可以将不同工艺节点制造的芯片集成在一个封装中，满足现代电子产品对小型化、多功能化的需求。SK 海力士新建 P&T 7 工厂，有望在高性能计算（HPC）和 AI 芯片市场中占据更有利的位置。
