IXYS全新原装进口场效应管 IXTQ82N25P 假一赔十

品牌/商标：
IXY美国电报半导体
型号/规格：
IXTQ82N25P
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GaAS-FET砷化镓

IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P IXYS*原装*场效应管 IXTQ82N25P IXTQ82N25P产品规格参数 PDF 制造商: IXYS RoHS: 详细信息晶体管*性: N Channel 汲*/源*击穿电压: 250 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏*连续电流: 82 A 电阻汲*/源* RDS（导通）: 35 mOhms 配置: Single 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-* 封装: Tube 下降时间: 22 ns 工作温度: - 55 C 功率耗散: 500000 mW 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 78 ns

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