FF200R17KE3
INFINEON(英飞凌)
英飞凌晶闸管FF200R17KE3,FF200R17KE3运用1700V SPT-IGBT技术新的 E2工业标准封装现在,因为额定电流为 2400A 的新一代大功率工业标准模块的封装尺寸增加了140×130(E1)140×190(E2)1700V-SPT IGBT的封装类型得到了扩展,新型号1700V-SPT IGBT 的 E2 标准封装。 基于高可靠性应用的经验,设计出了适用于工业牵引应用的新的封装类型。 与已经应用的 1700V 标准模块相比,主要损耗减少了大约 20%。除了极低的静态和动态损耗外,1700V-SPT IGBT 表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态,尤其适合如 E1/E2 类型这样的大电流模块。尽管 SPT IGBT 的损耗较低,但它的短路电流和开关强度均较大,而且,独特的软穿通结构的电磁干扰很小。SPT 技术发展的同时,新的软快速恢复二极管也被开发用于辅助 SPT 的特性。新的二极管在任意条件工作时,表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用,二极管也要求正的温度系数。2 1700V 的芯片组技术如图 2 所示,文献[1,2]中证明,标准的平面工艺与软穿通概念的结合可得到性能更好的 IGBT,它比 NPT 结构的损耗更低,约小 20%。SPT 技术的通态损耗与使用沟道工艺的相同额定电流元件的通态损耗相似。因为工艺技术很成熟,
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