制造商: International Rectifier 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 Id-连续漏极电流: 10 A Vds-漏源极击穿电压: 100 V Rds On-漏源导通电阻: 14.9 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V Qg-栅极电荷: 40 nC 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 3.6 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PQFN-6 封装: Reel 商标: International Rectifier 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 6.5 ns 正向跨导 - 值: 66 S 工作温度: - 55 C 上升时间: 9.7 ns 工厂包装数量: 4000 典型关闭延迟时间: 21 ns
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