IR推出具有基准低通态电阻的沟道型HEXFET功率MOSFET系列
IR推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。新MOSFET的通态电阻(RDS(
时间：2008/11/5 阅读：890 关键词：MOSFET
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布推出具有基准低通态电阻(RDS(on))的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、
分类：名企新闻 时间：2008/11/3 阅读：913 关键词：MOSFET
DiodesIncorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用
DiodesIncorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用
DiodesIncorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET?功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK?SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该
Vishay的新型Siliconix25VTrenchFET® GenIII功率MOSFET刷新了业界导通电阻记录
宾夕法尼亚、MALVERN—2008年10月29日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET?功率MOSFE
新型25VTrenchFETGenIII功率MOSFET（Vishay）
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET?功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK?SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出一款新型25Vn通道器件，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAKSO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界的导通电阻
分类：名企新闻 时间：2008/10/27 阅读：759 关键词：Vishay
VishayIntertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFET?SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET?SiE7
Vishay推出具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFET?SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET?S
意法半导体推出SuperMESH3功率MOSFETSTx3N62K3
意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv
分类：名企新闻 时间：2008/9/25 阅读：858 关键词：半导体
美国东芝电子元件（ToshibaAmericaElectronicComponents）发布了耐压600V、采用超级结（Super-Junction）构造的功率MOSFET新产品“DTMOSII”（英文发布资料）。该产品不必减小耐压就可降低导通电阻
分类：业界要闻 时间：2008/9/9 阅读：1731 关键词：MOSFET
Vishay新推P通道功率MOSFET，采用PowerPAK SC-75封装
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的业界首批具有上述额定电压的器件。日前推出的这些器件
Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列
日前，Vishay宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAKSC-75封装的
