(一)晶体管的结构特性1.晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示)。如图5-4所示,晶体管的两个PN结分别称为集电结(C、B极之间)和发射结(B、E极之间
分类:业界要闻 时间:2007/1/16 阅读:185
(一)普通晶闸管普通晶闸管(SCR)是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件,三个引出端分另为阳有A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能,其内部可以等效为由一只PNP晶闸管和一只NPN晶闸管
分类:业界要闻 时间:2007/1/16 阅读:919
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)正向转折
分类:业界要闻 时间:2007/1/16 阅读:1404
在实际晶闸管电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态的电压上升率。若电压上升率过大...
分类:业界要闻 时间:2007/1/16 阅读:111
在实际晶闸管电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态的电压上升率。若电压上升率过大...
分类:业界要闻 时间:2007/1/15 阅读:1570 关键词:网络
介绍了一种应用TCA785及频率/电压变换器构成的三相同步电压频率自适应触发器,该触发器可自动跟踪同步输入电压频率的大范围变化。不但详细介绍了该触发器的工作原理和工作波形,而且给出了其实用效果。关键词:TCA785;频率自适应;触发器中图分类...
分类:业界要闻 时间:2006/11/8 阅读:869 关键词:触发器
双向晶闸管除了一个电极G仍然叫控制极外,另外两个电极通常不再叫阳极和阴极,而统称为主电极T1和T2。双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型5层结构的半导体,其符号和内部结构图见右图。用万用表区分双向晶闸管电极的方法是:首先找出主电极T2。将万用表置...
分类:业界要闻 时间:2006/9/25 阅读:338 关键词:用万用表
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称,谷称可控硅,它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、...
分类:业界要闻 时间:2006/8/22 阅读:826