STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技术降低导通电阻提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效
功率半导体厂商意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效
分类：业界要闻 时间：2008/9/25 阅读：772 关键词：节能灯
功率半导体业的意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT）,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D600VPowerMESH）,用于工作频率超过20kHz
