从富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求
在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测，2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正...
时间：2024/11/12 阅读：134 关键词：Microchip
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM
MB85RC512LY是一款存储密度为512Kbit的非易失性存储器，在1.7V至1.95V的低电源电压下工作。工作电流极低，例如在3.4MHz的工作频率下电流最大为0.4mA。 该产品确保在125摄氏度的高温下达到10...
分类：新品快报 时间：2023/8/8 阅读：204
东芝开发出1.6GB/秒的128Mbit FeRAM力图取代SSD的DRAM
东芝开发出了数据传输速度达1.6GB/秒的128Mbit高速强介电体内存（FeRAM）。配备有高速DRAM标准——DDR2接口。东芝表示，“128Mbit是业界内非易失性RAM的容量。与原来速度的非易失性内存相比，此次实现的1.6GB/秒数
分类：名企新闻 时间：2009/2/14 阅读：460 关键词：SSD
东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器（FerroelectricRandomAccessMemory，FeRAM）的材料和工艺技术。这种改进的铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM设备的数
分类：业界要闻 时间：2007/9/26 阅读：453
相变内存成为研发热点，赶超FeRAM与MRAM并有望取代闪存！
相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在
分类：业界要闻 时间：2007/8/15 阅读：416
富士通在2007年5月16日开幕的“第10届嵌入系统开发技术展（ESEC）”上，参考展出了配备强电介质内置内存（FeRAM，铁电内存）的通用8bit微控制器。评测用芯片“MB95RV100”近日即可供应，计划2008年前后量产供货。CPU内核采用“
