6月20日，我国电力电子行业关键技术在南车株洲电力机车研究所有限公司（简称株洲南车）取得产业化突破，国内首条8英寸IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片生产线投产，这是世界上第二条8英寸IGBT芯...
据新华网报道，日前，国内自主研发生产的“001号”8英寸IGBT芯片，在中国南车株洲所下线，并移交中国科技馆收藏。据透露，这条国内首条、世界上第二条8英寸IGBT芯片线将于今年下半年投产。IGBT是一种新型功率半导体器件，中文全名“绝缘
分类：新品快报 时间：2014/6/25 阅读：1056 关键词：IGBT
6月20日，中国首条8英寸IGBT芯片线在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成，中国首片8英寸IGBT芯片同时下线。此举打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断，对保障国民经济安全和推动两型建设...
全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx器件系列为完整的功率应用范围作出优化
分类：新品快报 时间：2014/6/11 阅读：678 关键词：IGBT
On Semiconductor - 将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至
近年来，人们使用的电器产品数量不断增多，致使每个家庭内的总能耗稳步上升，不仅大多数西方国家是这样，新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本也已经增加，因为燃料资源变得更为紧缺，公用事业公司因此而涨价。为了将从电网获得的功率提升至，并...
分类：名企新闻 时间：2014/6/5 阅读：1213 关键词：IGBTSemiconductor
英飞凌逆导软开关IGBT产品家族新增650V RC-H5器件
英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的650V器件，再次扩展其一代逆导软开关IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品线。英飞凌的RC-H5系列产品性能卓越，而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H56
分类：新品快报 时间：2014/5/20 阅读：389 关键词：IGBT
飞兆半导体是全球的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商，其推出一系列1200V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机，此新型IGBT系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。这种
今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创...
前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相应的是革新的永不止步。“虽然应用不一，但...
时间：2013/10/14 阅读：849 关键词：IGBT
前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相应的是革新的永不止步。“虽然应用不一，但...
时间：2013/8/28 阅读：415 关键词：IGBT
全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，针对工业电机驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。全新器件采用IR的场截止
分类：新品快报 时间：2013/6/18 阅读：1173 关键词：IGBT
全球的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社日前宣布开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件，适用于电动和混合动力汽车功率逆变器。R2A25110KSP中融入了瑞萨电子公司开发的微型隔离器隔离专项技术。这些技术可为
分类：新品快报 时间：2013/5/20 阅读：730 关键词：IGBT
IIC-China 2013亮点之金领导:IGBT驱动板和空中飞鼠
新能源、再生能源已成为全球关注的焦点，特别是在风能、太阳能发电等领域，采用高效率IGBT控制，得到了人们的关注。另外，对于智能电视控制、PPT演示等新兴领域，传统的遥控技术已无法满足消费者的需求。IICChina2013展会上，金领导科技(深圳)有
北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接平板800A/1700V IGBT通过科技成果
2013年1月13日，由北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接800A/1700VIGBT项目通过了电力电子行业组织和主持的科技成果鉴定会，鉴定委员会认为该项目在国内首次设计了IGBT和FRED芯片精确定位的整体模架结构，首次设计使用了IGBT芯
时间：2013/1/15 阅读：484 关键词：IGBT
IGBT模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，想知道哪两方面的优点具体请点击：http://jmcx.dzsc.com/IG
