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飞思卡尔推出功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科

分类:新品快报 时间:2007/8/8 阅读:345 关键词:晶体管

飞思卡尔推出功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科

分类:新品快报 时间:2007/8/7 阅读:1263 关键词:晶体管

飞思卡尔7款LDMOS RF功率晶体管覆盖PCS和WCDMA频率

飞思卡尔(Freescale)半导体日前推出7款LDMOSRF功率晶体管,能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。其中两台设备在865-960MHz频段运行,另外两台在1,930-1,990频段运行,还有

分类:新品快报 时间:2007/8/7 阅读:965 关键词:WCDMA

恩智浦推出UHF波段高压LDMOS晶体管BLF878

恩智浦半导体(NXPSemiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前推出了全球首款真正的300W超高频(UHF)晶体管,即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上能够在整个UHF波段以杰出线性性能和

分类:新品快报 时间:2007/6/7 阅读:212 关键词:恩智浦

飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET

飞思卡尔半导体公司日前为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOSFET。TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法,这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是家专门针对新兴的标准提供商用射频集成电路(RFIC

分类:新品快报 时间:2007/3/1 阅读:209

飞思卡尔300W LDMOS RF晶体管面向数模广播电视放大器

飞思卡尔半导体公司(FreescaleSemiconductorInc.)推出一款超高效射频功率晶体管——MRF6P3300H。该器件能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗,并降低运营成本。这款晶体管利用飞思卡尔先进的第六代高压(HV6)横向扩散

分类:新品快报 时间:2005/4/27 阅读:252 关键词:晶体管

飞思卡尔推出超高效的高功率LDMOS射频晶体管

随着能源价格的不断上涨,广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求,飞思卡尔半导体(NYSE:FSL,FSL.B)推出超高效的射频功率晶体管。这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗,并降低运营成本。这款MRF6...

分类:新品快报 时间:2005/4/25 阅读:428 关键词:晶体管

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