士兰微电子推出内置MOSFET的SSR反激电源管理系列芯片SDH866XQ
杭州士兰微电子公司近期推出了内置MOSFET的SSR反激电源管理系列芯片SDH866XQ。该系列芯片满足六级能效标准，待机功耗低于40mW，并且采用了自有的高压EDMOS专利技术和谷底锁定专利，分别实现高压启动和降低EMI，可广泛适用于各类通用适配
分类：新品快报 时间：2017/3/10 阅读：1380 关键词：MOSFET
日前信息，宇瞻科技(Apacer)推出首款工业规格、容量达16GB的MicroSDHC记忆卡，相容于SD3.0规范，并支援Class10的高速传输规格。新的MicroSDHC记忆卡具备工业规格的稳定特性，除了可携式装置外，同样也可应用于手持式、
分类：新品快报 时间：2011/11/29 阅读：952
日前金士顿（Kingston）发布了一款全新的快速microSDHC闪存卡产品，这款快速闪存卡预计将于近日上市。总体上来看，金士顿本次发布的快速microSDHC闪存卡主要是针对摄像机、数码相机以及智能手机等对快速microSDHC存储卡有需求的用
分类：新品快报 时间：2011/3/24 阅读：304 关键词：金士顿
金士顿周三展示了32GB的microSDHC记忆卡，该卡执行Class4标准，发布时间10月11日。这款记忆卡也是目前容量的microSDHC，家推出32GB容量的却并不是金士顿，而是SanDisk。金士顿这款产品将首先供给HTCEvo4G
在NAND闪存技术和解决方案方面处于地位的创新企业东芝宣布推出符合SD存储卡标准Ver.3.0（SD3.0）--UHS104、实现全球最快的读取写入速度的8GB、16GB和32GB容量SDHCUHS-I存储卡系列。此外，东芝还推出了世界上首款m
分类：新品快报 时间：2010/9/13 阅读：1643 关键词：存储卡
东芝将从2010年11月开始上市数据传输速度更高的SDHC内存卡“SDHCUHS-I卡”。该卡支持SD内存卡的规格“SDSpecificationVersion3.00（SD3.0）”中规定的“UHS104”，其特点是读取速度可达95MB/秒、
分类：业界要闻 时间：2010/9/8 阅读：472
SD协会宣布对SDXC和SDHC设备以及内存卡推出两高速性能符号
SD协会近日宣布针对速度最快的SDXC和SDHC设备以及内存卡推出两个全新的高速性能符号。第1个符号是用来表示具备允许实时视频录制的性能选项之SD内存卡和产品。第2个符号是用来表示总线界面速度每秒高达104MB、可提高设备性能的产品。各种功能丰富的
分类：业界要闻 时间：2010/7/9 阅读：466
Maxim推出高集成度Ethernet-over-SONET/SDH映射器系列产品
MaximIntegratedProducts推出高度集成的Ethernet-over-SONET/SDH(EoS)映射器系列产品DS33M30/DS33M31/DS33M33。这些映射器结合了以太网传输新协议与传统光纤网络协议，允许服务供应商通过
分类：名企新闻 时间：2009/3/26 阅读：412 关键词：Maxim
Maxim推出Ethernet-over-SONET/SDH映射器系列产品DS33M30/DS33M31/DS33M33
Maxim推出高度集成的Ethernet-over-SONET/SDH(EoS)映射器系列产品DS33M30/DS33M31/DS33M33。这些映射器结合了以太网传输新协议与传统光纤网络协议，允许服务供应商通过现有光纤传输基础设施传送新的以太网服
分类：名企新闻 时间：2009/3/26 阅读：642 关键词：Maxim
Positron收购OnSite系统公司SONET/SDH技术
为了拓宽光传输产品线，Positron公司表示该公司已经收购了OnSite系统公司S15光纤接入和传输产品的所有知识产权和专利技术。OnSite表示S15是其研制的技术成果，集众多设计和功能于一身，包括之前的S10STM-1(OC-3)设计，最
分类：名企新闻 时间：2009/1/8 阅读：1059
东芝是在记忆卡技术和解决方案方面处于地位的革新企业，正式推出一款16GB的microSDHC，这个容量在整个市场中首屈一指。有了这款产品，东芝的记忆卡阵容更显强大。同时，公司加入读写速度超快的8GB和16GBSDHC卡，不断扩充其在行业中处于领
分类：名企新闻 时间：2008/12/2 阅读：547
东芝近日正式推出一款16GB的microSDHC，这个容量在整个市场中首屈一指。有了这款产品，东芝的记忆卡阵容更显强大。同时，公司加入读写速度超快的8GB和16GBSDHC卡，不断扩充其在行业中处于地位的记忆卡解决方案。新型SDHC卡将于本月开
分类：名企新闻 时间：2008/12/1 阅读：1303
博通发布功耗的10G物理层器件用于SONET/SDH和光传输网络
全球有线和无线通信半导体市场的Broadcom(博通)公司近日宣布业界款65纳米(nm)的万兆比特(10G)物理层(PHY)器件系列，它们支持从9.953千兆每秒(Gbps)至11.35千兆每秒的数据传输率。这些新一代的物理层器件兼具业界
分类：名企新闻 时间：2008/10/9 阅读：380
博通首款多速率10G物理层器件为SONET/SDH和光传输网络提供业界功耗
全球有线和无线通信半导体市场的Broadcom（博通）公司日前宣布推出业界款65纳米(nm)的万兆比特(10G)物理层(PHY)器件系列，它们支持从9.953千兆每秒(Gbps)至11.35千兆每秒的数据传输率。这些新一代的物理层器件兼具
分类：名企新闻 时间：2008/10/8 阅读：484
东芝展示16GB的microSDHC内存卡层叠18μm厚的16枚NAND芯片
东芝在“CEATECJAPAN2008”上展出了业界容量的16GBmicroSDHC存储卡试制品。“该产品为试制品，目前还没有量产”（东芝解说员）。包括该公司在内，目前能够投产的microSDHC存储卡的容量为8GB。为实现16GB容量，此
分类：名企新闻 时间：2008/10/6 阅读：299 关键词：NAND
