晶体管将迎来新机遇

最终成为智能手机芯片的硅晶片由单晶组成。但这种晶体有很多面，其中哪一个面位于制造晶体管的表面很重要。根据上个月在 2023 年IEEE 国际电子器件会议(IEDM) 上发布的研究，业界可能不会为即将...

分类：业界动态 时间：2024/1/5 阅读：430 关键词：晶体管

苹果发布M3系列芯片，高达920亿晶体管

今天，Apple 正式发布了 M3、M3 Pro 和 M3 Max。这三款芯片采用突破性技术，可显著提高 Mac 的性能并释放新功能。这些是首款采用业界领先的 3 纳米工艺技术制造的个人计算机芯片，允许将更多晶...

分类：业界动态 时间：2023/10/31 阅读：353 关键词：M3芯片

意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPO...

分类：新品快报 时间：2023/9/12 阅读：281 关键词：IGBT晶体管

Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管

该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），涵盖 35 至 98mΩ 的 R...

分类：新品快报 时间：2023/9/11 阅读：491 关键词：MPU

华为公开“集成电路及其制作方法、场效应晶体管”专利

根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”，公开号为CN116636017A。 专利摘要显示，本申请提供一种集成电...

分类：业界动态 时间：2023/8/23 阅读：290 关键词：华为集成电路

NSREC：用于太空的 40V 抗辐射 GaN 功率晶体管

EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） “与传统硅解决方案...

分类：新品快报 时间：2023/7/21 阅读：405 关键词： GaN 功率晶体管

伍尔特电子推出 WL－OCPT 双通道光电耦合器光电晶体管

伍尔特电子进一步扩充其 WL-OCPT 光电耦合器产品系列，新增了DIP-8封装。双通道-八引脚的光电耦合器光敏电阻现可提供。这种设计在一个元件内包含两个电路，分别由两个输入LED和两个输出光敏电阻...

分类：新品快报 时间：2023/7/5 阅读：441 关键词：光电晶体管

Apple 以 5nm、1340 亿晶体管 M2 Ultra 完善了其 ARM 产品线

如前所述，M2 Ultra 使用 Apple 的 UltraFusion 互连和硅中介层将两个 M2 Max 裸片与统一内存架构相结合。这有 10,000 个信号，提供超过 2.5TB/s 的低延迟处理器间带宽，支持高达 192GB 的内存...

分类：业界动态 时间：2023/6/13 阅读：260 关键词：Apple

意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%

意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进...

分类：新品快报 时间：2023/5/25 阅读：365

英特尔，看好堆叠式 CFET 晶体管

在 Beligum 安特卫普的 ITF World 2023 上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 概述了英特尔在几个关键领域的最新发展，其中最有趣的启示之一是英特尔未来将采用堆叠式 CFET 晶体管。这标志着...

分类：名企新闻 时间：2023/5/20 阅读：432 关键词：英特尔CFET 晶体管

意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。 L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结...

分类：新品快报 时间：2023/5/16 阅读：370 关键词：降压转换器