5N65 TO-220 N 沟道高压 MOSFET|650V 耐压|5A 连续电流|低至 2.1Ω 导通电阻|TO-220 直插封装
- 漏源电压(Vdss):650V,适用于高压开关电源、逆变器及工业控制电路,可耐受电网波动与感性负载瞬态冲击。
- 连续漏极电流(Id):5A(25℃时),脉冲电流可达 20A,满足短时峰值负载需求。
- 导通电阻(Rds (on)):
- 典型值 2.1Ω~2.5Ω(Vgs=10V 时)。
- 温度特性:Rds (on) 随结温升高而增大,设计时需预留 20% 裕量。
- 栅极电荷(Qg):典型值13.63nC~15nC,支持 20kHz 以上高频 PWM 应用,降低驱动损耗。
- 反向传输电容(Crss):7pF~13pF(典型值),减少米勒效应干扰,提升开关速度。
- dv/dt 耐受能力:≥5V/ns,抑制电压尖峰,增强电路稳定性。
- 雪崩能量(Eas):典型值220mJ~310mJ,耐受感性负载的瞬态电压冲击。
- 过热保护:结温(Tj)≥150℃时自动限制功耗,温度降低后恢复,避免热失控。
- 反向电流保护:内置体二极管,支持续流功能。
属性项 | 参数描述 |
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封装形式 | TO-220 直插式,带金属散热片,散热参数:RθJA=63℃/W,RθJC=2.5℃/W |
栅源电压(Vgs) | ?30V,兼容逻辑电平驱动 |
阈值电压(Vgs (th)) | 2-4V,确保可靠导通与关断 |
输入电容(Ciss) | 550-700pF,影响驱动电路设计 |
输出电容(Coss) | 55-65pF,降低输出端高频噪声 |
工作温度范围 | -55℃~%2B150℃,存储温度 - 65℃~%2B150℃ |
ESD 防护能力 | ?2kV(接触放电),符合行业标准 |
焊接温度 | 300℃(10 秒内),兼容波峰焊与回流焊工艺 |
- 物理设计:TO-220 封装为直插式,金属散热片直接连接漏极(D),支持大电流场景下的高效散热。
- 引脚布局:标准三端设计(G 栅极、D 漏极、S 源极),兼容传统功率器件的 PCB 布局,便于替代升级。
- 散热优化:
- 功耗计算示例:Vds=400V,Id=5A,Rds (on)=2.1Ω 时,导通损耗为 5??2.1=52.5W,需通过散热片将结温控制在≤150℃。
- PCB 建议:漏极走线宽度≥3.5mm,源极大面积铺铜,采用 70μm 铜箔提升散热效率。
- 开关电源与逆变器:
- AC-DC 转换:作为 PFC 电路或半桥拓扑的开关管,支持 650V 母线电压。
- DC-DC 升压 / 降压:如将 48V 输入转换为 400V 输出,适用于储能变流器、激光驱动电源。
- 电机驱动与工业控制:
- 高压伺服电机控制:驱动 300V 供电的无刷直流电机,利用内置体二极管实现续流。
- 工业自动化:PLC 电源模块、高压电磁阀驱动,耐受电压瞬变与电磁干扰。
- 汽车电子:
- 车载逆变器:将 48V 电池转换为 220V 交流电,为车载设备供电。
- 电动车 OBC:作为高压侧开关,需通过 AEC-Q101 ren证。
- 高压测试与脉冲电路:
- 高压发生器:产生 500V 以上脉冲信号,用于绝缘测试或医疗设备。
- 固态继电器:作为高压开关元件,支持 ns 级快速响应。

