TPH8R903NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

型号: TPH8R903NL,LQ

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOP-Advance-8 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 38 A 

Rds On-漏源导通电阻: 10.2 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 9.8 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 24 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.95 mm  

长度: 5 mm  

系列: TPH8R903NL  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 8.3 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 2.4 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 14 ns  

典型接通延迟时间: 8.3 ns  

单位重量: 851 mg

Applications TPH8R903NL,LQ

• Switching Voltage Regulators

• DC-DC Converters

 

Features TPH8R903NL,LQ

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 2.5 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.2 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25  unless otherwise specified)  

Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Power dissipation  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Avalanche current  Channel temperature  Storage temperature  (Silicon limit)  (Tc = 25 )  (t = 1 ms)  (Tc = 25 )  (t = 10 s)  (t = 10 s)  (Note 1), (Note 2)  (Note 1)  (Note 1)  (Note 3)  (Note 4)  (Note 5)  Symbol  VDSS  VGSS  ID  ID  IDP  PD  PD  PD  EAS  IAR  Tch  Tstg  Rating  30  ±20  38  20  78  24  2.8  1.6  23  20  150  -55 to 150  Unit  V  A  W  mJ  A  

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