NCE8205E
NCE新洁能
TSSOP-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18988767293
13410894495
18720511991
15919489657
联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
微信:
邮箱:lbc@yhtcdz.com
地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505
NCE8205E采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低2.5V的栅电压运行。本设备适用于电池保护或其他开关应用。
沟槽型功率MOSFET参数:
产品型号:NCE8205E
品牌:NCE新洁能
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压():20V
连续漏极电流():6A
功率耗散():1.5W
栅源极击穿电压:12V
漏源导通电阻(典型值)(4.5V):17mΩ
封装:TSSOP8
沟槽型功率MOSFET一般特征:
VDS=20V,ID=6A
RDS(ON)<30mΩ@vg=2.5v
RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
沟槽型功率MOSFET应用程序:
电池保护
负荷开关
电源管理
沟槽型功率MOSFET封装:
额定值(TA=25℃,除非另有说明):
漏源电压:20V
栅源电压:±12V
漏极电流连续:6A
漏极电流脉冲(注1):25A
功耗:1.5W
操作结和存储温度范围:-55~150℃
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18988767293
13410894495
18720511991
15919489657
联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
微信:
邮箱:lbc@yhtcdz.com
地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505