本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：39 A
Rds上漏源导通电阻：36毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：73.3 nC
Pd-功率耗散：140 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP150NPBF SP001564068
单位重量：38 g
HEXFETE功率MOSFET工艺技术表面安装

（RF5305S）VDSS = -55V低剖面通孔（RF5305L175C

工作温度快速开关Rds（开）=0。06] 2P完全雪崩率DD1

描述了国际整流器第二代六角场效应这个优点，加上快速

的开关速度和加固的器件设计，HEXFET功率mosfet是替代的，

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备，可在各种应用

中使用。D-pak是一种表面安装式电源包，可用于尺寸高达

HEX-4的普通模具。它在任何现有的表面安装式电源包中提供

的电源能力和的262对262电阻。由于其内部连接电阻低，

可以消散到2，所以2PAK适用于大电流应用。0W在典型的表面

贴装应用中，通孔型（IRF5305L）可用于低剖面应用

额定值SparameterMaxUnitsID Q Tc = 25” C连续交流电流，

Vos @ -10VGID 2 Tc = 100 C连续串联电流。Vos2-10V6脉冲

电流电流O（s）-110PPQTA = 25 3.8Po @ Tc = 25℃温度线性

降额系数0.71WpcGate-to-source电压单脉冲雪崩能量2G）mIAR

Avalanche电流重复雪崩能量0dv / dtPeak二极管恢复dv / dt 3S5.8V / ns

工作结和55至+175存储温度焊接温度范围。持续10秒300

（1。从外壳热阻参数TypMaxUnitsRecFunction到外壳/恢复到环境（PCB安装，放置）的6mm

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