These N-Channel enhancement mode power field effect
Transistors  are  produced  using  planar stripe,  DMOS
technology.
GFP4N60是增强型N沟道功率场效应管，采用平面条形DMOS
工艺生产制造。
This advanced technology has been especially  tailored
to  minimize  on - state  resistance , provide  *ior
switching performance,and Withstand high energy pulse
in the avalanche and commutaion mode .These devices
are  well  suited  for  high  efficiency switch mode power
supply.
GFP4N60具有低导通电阻、*的开关特性以及*雪崩击穿
能力，适合用于*开关电源。
栅源电压
连续漏*电流
漏源反向击穿电压
Characteristics（参数）
V 30 VGS
A 4.4 ID
V 600 BVDSS
Units(单位) Value(额定值） Symbol（*号）正向压降
热阻(结到壳）
储存温度
耗散功率
雪崩能量
栅源电压
连续漏*电流
漏源反向击穿电压
Characteristics（参数）
℃ -55 ~150 TSTG
℃/ W 1.18 RθJC
V 30 VGS
A 4.4 ID
mJ 260 EAS
V 1.4 VSD
W 106 PD
V 600 BVDSS
Units(单位) Value(额定值） Symbol（*号）
nA 栅源漏电流
VDS= 480V, VGS= 10V
ID=4.4A      
nC
20 15 - Qg 栅*存储电荷
- 3.4 - Qgs 栅源电荷
- 7.1 - Qgd 栅漏电荷
80 35 - tf 下降时间
90 70 - Coss 输出电容
VDS=600V ,VGS= 0V uA 10 - - IDSS 漏源漏电流
VGS= 30V, VDS= 0V 100 - - IGSS
VDD= 300V, ID= 4.4A
RG=25 Ω
VGS= 0V, VDS= 25V
F=1.0MHz
VDS= 50V, ID=2.2A
VGS= 10V,ID=2.2A
VDS= VGS,ID=250uA
Test Conditions
(测试条件)
开启电压
ns
pF
S
Ω
V
Units
(单位)
25
45
13
8
520
4
1.77
-
T*.
(典型值)
4.0 2.0 VGS(th)
- - gfs 跨导
2.5 - RDS(on) 导通电阻
35 - td(on) 导通延迟时间
11 - Crss 传输电容
670 - Ciss 输入电容
60 - td(off) 下降延迟时间
100 - tr 上升时间
Max.
(*大值)
Min.
(*小值)
Symbol
(*号）
Characteristics
参数名称
Absolute Maximum ratings（*限参数，除非另有规定，T=25 ℃）

*代理:场效应管2N60/5N60/8N60/10N60/12N60

企业名：深圳市谷度科技有限公司

类型：经销商

电话： 755-83013455

联系人：罗少聪

地址：广东深圳深圳市华强北路华强广场D座13C