| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRGB4086PBF |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT*缘栅比* |
| 开启电压 | 1.9（V） | 夹断电压 | 300（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 70000（mA） |
| *大耗散功率 | 160000（mW） |
*原装IGBT 70A 300V 160W N沟
VCE
min 300 V
VCE(ON) t*. @ IC = 70A 1.90 V
IRP max @ TC= 25°C
Features
Advanced Trench IGBT Technology
Optimized for Sustain and Energy Recovery
Circuits in PDP Applications
Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSE
TM)
for Improved Panel Efficiency
High Repetitive Peak Current Capability
Lead Free Package
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
