供应STW48NM60N,ST晶体管

应用
■开关应用
描述
该器件是一个N沟道功率MOSFET
开发利用第二代
™MDmesh技术。这一革命性的力量
MOSFET的垂直结构
公司的带钢布局，以获得世界上的
电阻和栅极电荷。它是
因此适合最苛刻的高
效率转换器。
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 39 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
Pd-功率耗散: 255 W
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 600
晶体管类型: 1 N-Channel

企业名：深圳市水星电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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