N沟MOSF管IRF1010ZS

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRF1010ZS
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
A/宽频带放大
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
55（V）
夹断电压：
55（V）
*间电容：
2840（pF）
漏*电流：
7500（mA）

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商品信息

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称

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