FQB5N90TM ON 进口 TO-263-3 MOSFET 900V N-Channel QFET

FQB5N90: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，5.4 A，2.3 Ω，D2PAK
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

特性：
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（MAX）@VGS = 10 V, ID = 2.7A栅极电荷低（典型值：31nC)
低 Crss（典型值13pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
RoHS compliant

企业名：深圳市尚想信息技术有限公司

类型：贸易/代理/分销

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