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场效应管MOSFET

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上海
源头工厂
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  • 品牌:

    STI美国半导体技术

  • 型号:

    场效应管

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

盈勋电子科技(上海)有限公司是一家集生产,代理与销售电阻,电容,二、三*管为一体的商家。生产全系列中小功率二、三*管以及销售世界知名厂商生产的DIP和SMD二、三*管,品种*,主要...

  • 品牌:

    ADV美国*半导体

  • 型号:

    场效应管

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

上海朗杰电子有限公司是一家从事电子元器件配套业务的供应商,公司以代理分销为主,主要经营FSC,ST,TI,PHS,IR,ATMEL,TOS,AD,BB,TYCO,OMRON,YADEO等*SMD,DIP电子元器件,产品包括继电...

  • 型号/规格:

    钨针、导电嘴、喷嘴、导电杆、*缘套、气筛

  • 品牌/商标:

    钨针、导电嘴、喷嘴、导电杆、*缘套、气筛

  • *类别:

    无铅*型

钢木家俱等铝、镁、不锈钢、铜、钛、低碳钢实现铝材及多种材料的*焊接IGBT控制交、直流TIG弧焊电源实现铝材及多种材料的*焊接晶闸管控制CO2/MAG焊机*4种功能的普及机型!<BR> *适合粗丝大电流焊接!产品名称: 晶闸管控制交、直流TIG弧焊电源功能众多,用途...

  • 型号/规格:

    IRF7495PBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • *类别:

    无铅*型

规格 参数 价值 包 SO-8SO - 8封装 电路 离散 VBRDSS(五) 100 VGS电压值(五) 20日 的RDS(on)10V的(毫) 22.0 帐号@电讯= 25℃(甲) 7.3 帐号@电讯= 70℃(甲) 4.6 Qg和典型(北卡罗来纳州) 34.0 Qgd典型(北卡罗来纳州) 11.7 维尔特(Jc的)(文/...

  • 型号/规格:

    1760DNET

  • 品牌/商标:

    A-B

  • *类别:

    普通型

1760-DNET 1760-L12AWA 1760-L12AWA-NC 1760-L12AWA-ND 1760-L12BBB 1760-L12BBBND 1760-L12BWB 1760-L12BWB-NC 1760-L12BWB-ND 1760-L12DWD 1760-L12NWN 1760-L12NWNND 1760-L18AWA-EX 1760-L18AWAEXND 1760-L18BWB-EX 1760-L18BWBEXND 1760-L18DWDEX 1760-L...

  • 型号/规格:

    pH模块

  • 品牌/商标:

    梅特勒-托利多(Mettler-Toledo

  • *类别:

    普通型

品牌 梅特勒-托利多(Mettler-Toledo 型号 pH模块 种类 LCD触摸屏(模块) 屏幕尺寸 1(英寸) 色彩 - 亮度 - 对比度 - 分辨率 - 像素 - 点距 -(mm) 响应时间 -(ms) 可视角度 -(°) *的模块组合式,可以*扩展仪表的功能。注:标准配置*电缆和电*,...

  • 型号/规格:

    JEC

  • 品牌/商标:

    尖诺

  • *类别:

    普通型

品牌 尖诺 型号 JEC 批号 JN2010 封装 便装式 营销方式 * 产品性质 * 处理信号 数模混合信号 制作工艺 混合集成 导电类型 双*型 集成程度 中规模 规格尺寸 139*88*26(mm) 工作温度 -40~85(℃) 类型 电源模块 输入特性: 电压范围 12VDC(额定值)9-18 VDC ...

  • 型号/规格:

    01D-05-500

  • 品牌/商标:

    元册科技

  • *类别:

    普通型

种类 非隔离电源模块 品牌 元册科技 型号 01D-05-500 01D-05-500 特点: 输入电压允许变化范围宽,输入输出之间无隔离。可长时间空载运行,静态功耗*低,输出电压稳定, 转换效率高, 功率密度大,体积较小,有过流保护。国际标准引脚方式, 阻燃封装(UL94-V0), 自...

  • 型号/规格:

    CM200DY-24H

  • 品牌/商标:

    三菱

  • *类别:

    无铅*型

品牌 三菱 型号 CM200DY-24H 批号 2008 封装 原装 类型 电源模块

  • 岛克电子有限公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:上海上海市
  • 电话:021-56805110

    手机:13817769778

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SPW20N60C3

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

SPW20N60C3漏*电流(Id):20A 漏源饱和电压(Vdss): 600V货号:SPW20N60C3品牌:Infineon(英飞凌)计量单位:只技术规格书(PDF) 本店所售产品的价格一律为“虚拟价&...

  • 型号/规格:

    SE2305

  • 品牌/商标:

    SI*-IC

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

低压MOS的型号:SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE3400,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853等等。 主要产品类别: 1、TVS/*...

  • 型号/规格:

    PXI8008

  • 品牌/商标:

    阿尔泰

  • *类别:

    普通型

PXI总线产品\FPGA技术\主DMA\各种触发方式 型号 说明 PXI总线、多路同步、支持主DMA 、多种触发方式 PXI8008 ————AD:单端16路同步信号输入 每通道80KS/s 14位 8K字FIFO 量程为±10V、±5V 或0~2.5V、0~5V;程控增益PXI8009 ————AD:...

  • 型号/规格:

    6DI30AH-050

  • 品牌/商标:

    富士FUJI

  • *类别:

    无铅*型

种类 场效应管 上海资发实业科技有限公司。 我公司是一的功率模块、集成电路、机电设备和液压元件供应商。 专营日本三菱、富士、东芝;美国快捷、ABB、IR、TYCO;德国IXYS、西门子、 欧派克、西门康等公司IGBT、场效应管、达林顿、IPM、PIM、GTR、三相整流桥...

  • 型号/规格:

    SE4946

  • 品牌/商标:

    SI*-IC

  • 封装形式:

    SP/*外形

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

品牌 SI*-IC 型号 SE4946 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 600(V) 低频跨导 60...

  • 型号/规格:

    SE8205

  • 品牌/商标:

    SI*-IC

  • 封装形式:

    N沟道

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

品牌 SI*-IC 型号 SE8205 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 if(!properExist){ displayOfferProperties("middlePropertyData", "prope...

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK10A50D

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DIFF/差分放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)TK10A50DSwitching Regulator Applications• Low drain-source ON-resistance: RDS ...

  • 品牌:

    SI*-IC

  • 型号:

    SE2N60 N沟道MOS TO-252

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

主要MOS型号:SE2102E,SE7401U,SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE2306,SE3400,SE3401,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853,...

    价格:优惠价 规格:75A/1200V/2U 型号:BSM75GB120DN2 本公司是的功率模块、集成电路、机电设备元件供应商 专营日本三菱、富士、东芝、美国快捷、ABB、TYCO、IR、德国IXYS、西门子、欧派克、西门康等公司IGBT、场效应管、达林顿、IPM、PIM、GTR、三相整流桥、可控硅模块。 本公司的服务宗旨`品质、诚信为本'事事以至真、至...

    • 上海品良电子有限公司
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    • 电话:8602163291118

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    • 电话:8602168717402

      手机:13801774151

    场效应管MOSFET技术资料

    • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

      一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

    • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

      Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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