| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK2611 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SP/*外形 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 低频跨导 | 原厂（μS） | *间电容 | 原厂（pF） |
| 低频噪声系数 | 原厂（dB） | *大漏*电流 | 原厂（mA） |
| *大耗散功率 | 150000（mW） |
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS（导通）: 1.4 Ohm @ 10 V
汲*/源*击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: 30 V
漏*连续电流: 9 A
功率耗散: 150000 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-*N
封装: Tube
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