CER-DIP/陶瓷直插
IRF4905PBF
ALGaAS铝镓砷
MOS-HBM/半桥组件
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名:深圳市福田区宏诚辉电子商行
类型:经销商
电话: 0755-82894329
联系人:陈义雄
地址:广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号
产品图片 |
MOS场效应管 IRF4905PBF IRF4905 |
产品特点 |
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于*缘栅型。 MOS场效应管主要特点: 在金属栅*与沟道之间有一层二氧化硅*缘层,因此具有很高的输入电阻(*高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,*号如图所示。通常是将衬底(基板)与源*S接在一起 |
长期供应 |
二三*管,桥堆,瞬变,快速管,整流,肖特基,高压管,稳压管等... SMA/S*/SMC封装: 1N4001/M1;1N4002/M2;1N4003/M3;1N4004/M4 1N4005/M5;1N4006/M6;1N4007/M7 1N5817;1N5819;1N5820;1N5822 SS12;SS13;SS14;SS15;SS16;SS18;SS110 SS22;SS24;SS26;SS28;SS210 SS32;SS34;SS36;SS310;SS54 SK12;SK13;SK14;SK15;SK16;SK18;SK110 SK22;SK24;SK26;SK28;SK210 SK32;SK34;SK36;SK310;SK54 S1A;S1B;S1D;S1G;S1J;S1K;S1M RS1A;RS1B;RS1D;RS1G;RS1J;RS1K;RS1M US1A;US1B;US1D;US1G;US1J;US1K;US1M *1A;*1B;*1D;*1G;*1J;*1K;*1M *2G(SF26);SMAJ5.0A--SMAJ58A等等...
场效应管AO/VISHAY系列 |
T5灯具*的重大意义
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MOS场效应管相关知识 |
MOS场效应管分类: 根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅*,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。 以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源*S和漏*D。源*与衬底在内部连通,二者总保持等电位。图(a)*号中的前头方向是从外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正*,源*接电源负*并使VGS=0时,沟道电流(即漏*电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅*正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏*到源*的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏*电流ID。 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源*间电容又*小,*易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在*间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G*与S*呈等电位,*积累静电荷。管子不用时,*引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的*静电感措施。 |
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