制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V
集电*—射*饱和电压: 1.8 V
栅*/发射**大电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
栅*—射*漏泄电流: /- 250 nA
功率耗散: 463 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
*件号别名: HGTG30N60A4D_NL
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