SMD(SO)/表面封装
TPCA8057-H,QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,42A,0.0026Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
Toshiba/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:TPCA8057-H
封装:PSOP-8
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):42
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):57
输入电容Ciss(PF):4300 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):2.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229
导通延迟时间Td(on)(ns):14 t*.
上升时间Tr(ns):4.3 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):52 t*.
下降时间Tf(ns):6.3 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管
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