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场效应管 AP85U03GH-HF,60T03GH,AP73T02

场效应管 AP85U03GH-HF,60T03GH,AP73T02
场效应管 AP85U03GH-HF,60T03GH,AP73T02
  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AP85U03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.0055Ω

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    APEC/富鼎

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

产品型号:AP85U03GH-HF
特点:
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关特性
*合RoHS及无卤素

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):75

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):60

输入电容Ciss(PF):2910 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):53

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273

导通延迟时间Td(on)(ns):11 t*.

上升时间Tr(ns):87 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):36 t*.

下降时间Tf(ns):103 t*.

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管


(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83683996

联系人:钟丽华

QQ: QQ:2355799088

邮箱:2355799088@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

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