产品型号:AP18N20GI

特点：
 * 低栅极电荷
 * 简单的驱动器要求
 * 快速开关特性

封装:TO-220F

品牌：AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):18

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):34.7

输入电容Ciss(PF):1065 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：9.5

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

上升时间Tr(ns):21 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.

下降时间Tf(ns):19 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:AP18N20GI,,200V,18A,0.17Ω N-沟道增强型场效应晶体管

深圳市金城微零件有限公司                                  
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面） 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室