产品型号:AP85T03GP

特点：
 * 低栅极电荷
 * 简单的驱动器要求
 * 快速开关特性

封装:TO-220

品牌：AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):75

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):107

输入电容Ciss(PF):2700 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：55

导通延迟时间Td(on)(ns):11.2 typ.

上升时间Tr(ns):77 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.

下降时间Tf(ns):67 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:AP85T03GP,30V,75A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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