| 品牌/商标 | GY | 型号/规格 | GFF50N06 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 夹断电压 | 60（V） |
FEATUR*(参数）
• Low RDs(on)
(0.023 Ω)@Vgs=10V
低导通电阻（23m Ω)
• Low Gate Charge (T*ical 39nC)
低栅*存储电荷(典型值39nC)
• Low Crss (T*ical 110pF)
低传输电容(典型值110pF)
•Maximum Junction Temperature Range(175 ℃)
*大结温*(175 ℃)
1.Gate 2.Drain 3.Soure
正向压降
热阻(结到壳）
储存温度
耗散功率
雪崩能量
栅源电压
连续漏*电流
漏源反向击穿电压
Characteristics（参数）
℃ -55 ~175 TSTG
℃/ W 1.15 RθJC
V + 20 VGS
A 50 ID
mJ 470 EAS
V 1.4 VSD
W 130 PD
V 60 BVDSS
Units(单位) Value(额定值） Symbol（*号）
nA 栅源漏电流
VDS= 48V, VGS= 10V
ID=50A
nC
45 39 - Qg 栅*存储电荷
- 9.5 - Qgs 栅源电荷
- 13 - Qgd 栅漏电荷
130 60 - tf 下降时间
560 430 - Coss 输出电容
VDS=60V ,VGS= 0V uA 10 - - IDSS 漏源漏电流
VGS= +20V, VDS= 0V +100 - - IGSS
VDD= 30V, ID= 25A
RG=50 Ω
VGS= 0V, VDS= 25V
F=1.0MHz
VGS= 10V,ID=25A
VDS= VGS,ID=250uA
Test Conditions
(测试条件)
开启电压
ns
pF
mΩ
V
Units
(单位)
75
185
60
110
880
18
-
T*.
(典型值)
4.0 2.0 VGS(th)
30 - RDS(on) 导通电阻
130 - td(on) 导通延迟时间
140 - Crss 传输电容
1140 - Ciss 输入电容
160 - td(off) 下降延迟时间
380 - tr 上升时间
Max.
(*大值)
Min.
(*小值)
Symbol
(*号）
Characteristics
参数名称
Absolute Maximum ratings（*限参数，除非另有规定，T=25 ℃）
GFP50N06
TO-220
*代理:场效应管2N60/5N60/8N60/10N60/12N60
| 型号 | 年份 | 封装 | 应用范围 | |
| 2N60 | 09+原装* | TO-220/TO-220F | *灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 | |
| 5N60 | 09+原装* | TO-220/TO-220F | 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器 | |
| 8N60 | 09+原装* | TO-220/TO-220F | 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、 | |
| 10N60 | 09+原装* | TO-220/TO-220F | 工业电源，HID电子镇流器，*灯，开关电源、 | |
| 12N60 | 09+原装* | TO-220/TO-220F | 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器 |
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