| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | 30WQ06FN |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | SP/*外形 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
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| 产品种类: | 肖特基（二*管与整流器） |
| RoHS: | 否 |
| 产品: | Schottky Rectifiers |
| 峰值反向电压: | 60 V |
| 正向连续电流: | 3.5 A |
| *大浪涌电流: | 490 A |
| 配置: | Single Dual Anode |
| 正向电压下降: | 0.76 V at 6 A |
| *大反向漏泄电流: | 2000 uA |
| 工作温度范围: | - 40 C to + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK (TO-252AA) |
| 封装: | Tube |
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