GE-N-FET锗N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7313TRPbF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
A/宽频带放大
N沟道
增强型
30V
6.5A
2W
类型：
电话：
联系人：马加鹏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | IRF7313TRPbF |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -阵列 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | 2个N沟道（双） |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 6.5A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 29毫欧@ 5.8A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 1V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
功率-*大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷(TR) |
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