场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

 　　场效应管的注意事项
　　（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。
　　（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
　　（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。

　　P沟道增强模式功率MOSFET
　　描述：FNK30P50G采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
　　

      一般特点
　　●VDS=30V,ID=-50A
　　RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS=-10V
　　●高密度电池设计超低导通电阻
　　●全雪崩电压和电流
　　●良好的稳定性和均匀性，高EAS
　　●良好的散热性能的包装
　　●特殊工艺技术，高ESD能力

　　应用
　　●电池和负载开关

　　乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际领先的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。

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