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大功率场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    IRF540N

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    P-DIT

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    IR/国际整流器

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    SD20N60,24N60C3,35N60C3

  • 品牌/商标:

    英飞菱

  • 封装形式:

    金属封装

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插

  • 功率特征:

    大功率

  • 包装方式:

    散装

  • 雄杰电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-82330350

    手机:13433313520

  • 场效应管:

    4.4A 600V

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    FTA4N60C

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    TRA美国晶体管

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格:

    IXFH26N60Q

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    26A

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFBC30PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 类型:

    其他IC

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    Hitachi/日立

  • 型号/规格:

    K1414

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO-*L

  • 应用范围:

    振荡

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格:

    18

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO-*L

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 封装外形:

    TO-220-3 整包

  • 型号/规格:

    FQPF10N60C

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF9640PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2865

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    O/振荡

  • 发货单位:

    汕头科通电子

  • 封装:

    TO-252

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFP240/IRFP9240

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌:

    台湾UTC

  • 型号:

    UTC2N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP250N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    k2847

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2698

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • 跨导:

    /(μS)

  • 品牌:

    IXY美国电报半导体

  • 型号:

    IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    FQPF4N60C 4N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    D-G双栅四*

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    K60-02A、K1120 、K1487

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    拆机

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

大功率场效应管技术资料

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