光掩膜

光掩膜资讯

光掩膜的变化和挑战

半导体工程杂志 (Semiconductor Engineering) 与 HJL Lithography 首席光刻师 Harry Levinson、 D2S首席执行官 Aki Fujimura、美光公司掩模技术高级总监 Ezequiel Russell 以及 Photronics 执行副总裁兼首席技术官 Christopher Progler ...

分类:行业访谈 时间:2025/6/17 阅读:156 关键词:光掩膜

路维光电:拟20亿元在厦门投建高世代高精度光掩膜版生产基地项目

路维光电发布公告称,公司拟投资20亿元建设高世代高精度光掩膜版生产基地项目,并设立全资子公司厦门路维光电有限公司作为项目实施主体。项目主要生产G8.6及以下的AMOLED等...

分类:名企新闻 时间:2025/3/26 阅读:392 关键词:路维光电

路维光电拟20亿元投建高世代高精度光掩膜版生产基地项目

路维光电发布公告称,公司拟投资20亿元建设高世代高精度光掩膜版生产基地项目,并设立全资子公司厦门路维光电有限公司作为项目实施主体。项目主要生产G8.6及以下的AMOLED等...

分类:名企新闻 时间:2025/3/25 阅读:218 关键词:路维光电

DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺

Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺,能够适应3纳米(10-9米)光刻工艺,以支持半导体制造的尖端工艺——极紫外(EUV)光刻。...

分类:新品快报 时间:2023/12/13 阅读:389 关键词:EUV光刻

冠石科技拟向特定对象募资不超过8亿元投建光掩膜版制造项目

5月31日晚间发布公告称,本次发行已经公司董事会审议通过,本次向特定对象发行股票的发行对象为不超过35名特定投资者,本次向特定对象发行股票的数量不超过本次发行前公司...

分类:名企新闻 时间:2023/6/2 阅读:566 关键词:冠石科技

凸版印刷分拆成立半导体光掩膜公司

近日,世界很大的独立第三方光掩膜生产商日本凸版印刷株式会社宣布分拆旗下半导体光掩膜业务,并与投资基金INTEGRAL合资成立一家新公司“ToppanPhotomask”。ToppanPhotoma...

分类:名企新闻 时间:2022/4/8 阅读:1754

菲利华成功研发8代光掩膜板 助力显示产业供应链国产化进程

8月7日,菲利华在互动平台上表示,公司研发生产出G8代光掩膜基板,打破了长期以来的国外垄断,目前是国内一家可以生产大规格光掩膜基板的厂商。公司称,公司销售收入呈现逐年增长的趋势。   菲利华是国内仅有的少数几家从事光学合成石...

分类:新品快报 时间:2018/8/8 阅读:571 关键词:8代光掩膜板菲利华

Globalfoundries格芯和Toppan Photomasks扩大其在德国的先进光掩膜合资企业

格芯(GLOBALFOUNDRIES)和Toppan Photomasks, Inc.(简称TPI)今日宣布一个多年扩张计划,以扩大其位于德国德累斯顿的先进掩膜技术中心(AMTC)合资企业。AMTC于2002年设立,为格芯位于德国德累斯顿、纽约马耳他和新加坡的工厂提供掩膜...

分类:业界动态 时间:2018/5/3 阅读:308 关键词:格芯

PLAB将关闭上海集成电路光掩膜制造厂以求削减运营成本

PhotronicsInc.(PLAB)周四宣布,将关闭上海一家集成电路光掩膜制造厂,以求削减运营成本。Photronics称,关闭上述制造厂对公司2009财政年度收入的影响微乎其微。该公司预计今年税后支出为1,000万-1,400万美元,其中90

分类:名企新闻 时间:2009/7/13 阅读:1132 关键词:集成电路

Photronics将关闭上海集成电路光掩膜制造厂

PhotronicsInc.(PLAB)周四宣布,将关闭上海一家集成电路光掩膜制造厂,以求削减运营成本。Photronics称,关闭上述制造厂对公司2009财政年度收入的影响微乎其微。该公司预计今年税后支出为1,000万-1,400万美元,其中90

分类:名企新闻 时间:2009/7/10 阅读:881 关键词:集成电路制造厂

Photronics宣布关闭上海半导体光掩膜厂

半导体/液晶面板光掩膜大厂PhotronicsInc.于美国东部时间8日晚间宣布,该公司将关闭位于中国大陆上海的半导体光掩膜厂。Photronics表示2009会计年度将认列1,000万-1,400万美元的税后关厂费用,其中约有90%是属于非现金项

分类:名企新闻 时间:2009/7/10 阅读:995 关键词:半导体

应用材料推出光刻空间成像技术延长光掩膜寿命

近日,应用材料公司宣布推出Aera2forLithography系统。半导体制造商通过运用该系统的IntenCD技术可以提升硅片的临界尺寸一致性(CDU)超过20%,增加器件的良率并降低每片硅片的图形曝光成本。此外,Aera2forLithogra

分类:名企新闻 时间:2008/12/10 阅读:831

应用材料公司推出关键性45纳米光掩膜刻蚀技术设备

近日,应用材料公司宣布推出先进的AppliedCentura®TetraTMIII掩膜刻蚀设备,它是目前可以提供45纳米光掩膜刻蚀所需要的至关重要的纳米制造技术系统。TetraIII通过控制石英掩膜把刻槽深度控制在10Å以内

分类:新品快报 时间:2007/4/26 阅读:1013

采用极为复杂的OPC,新一代45纳米生产级光掩膜检测系统问世

KLA-Tencor宣布推出TeraScanHR系统——业内首套新一代45纳米生产级光掩膜检测系统。45纳米及以上节点生产中缺陷尺寸小,并采用极为复杂的OPC,这要求检测设备具有极高的分辨率,TeraScanHR满足了这一要求,同时大大改进了生产效

分类:业界要闻 时间:2007/3/29 阅读:808 关键词:检测系统

KLA-Tencor推出业内首套45纳米光掩膜检测系统TeraScanHR

KLA-Tencor宣布推出TeraScanHR系统–业内首套新一代45纳米生产级光掩膜检测系统。45纳米及以上节点生产中缺陷尺寸小,并采用极为复杂的OPC*,这要求检测设备具有极高的分辨率,TeraScanHR满足了这一要求,同时大大改进了生产效

分类:新品快报 时间:2007/3/28 阅读:983 关键词:检测系统