DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-12-13 10:43:54 | 335 次阅读

  Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺,能够适应3纳米(10-9米)光刻工艺,以支持半导体制造的工艺——极紫外(EUV)光刻。
  
  能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜(照片:美国商业资讯)
  DNP不断满足半导体制造商对性能和质量的要求。2016年,我们成为全球推出多光束掩膜写入器(MBMW)的商业光掩膜制造商。2020年,我们开发出适用于5纳米EUV光刻工艺的光掩膜制造工艺,并一直在供应满足半导体市场需求的掩膜。在此次的进展中,为了满足进一步微型化的需求,我们开发出了能够支持3纳米工艺的EUV光刻用光掩模。
  DNP于2016年推出的MBMW能够发射约26万束电子束,即使图案形状复杂,也能显著缩短光刻时间。此次,我们利用该设备的特点改进了制造工艺,同时优化了数据校正技术和加工条件,以匹配EUV光刻所用光掩膜的复杂曲面图案结构。
  DNP已安装了新的MBMW,并计划于2024年下半年开始投入使用。我们还将加强对半导体制造先进领域的支持,如EUV光刻所用的光掩膜。
  DNP将与总部设在比利时的国际研究机构校际微电子中心(imec)共同推进用于下一代EUV曝光设备的EUV光掩膜的开发。
  DNP将向全球半导体相关制造商提供新开发的能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜。此外,我们还将支持开发EUV光刻的外围技术,目标是在2030年实现100亿日元的年销售额。

关键词:EUV光刻

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告