东京电子 推出了 Acrevia，这是一款新型气体团簇光束 (GCB) 系统，专为细化 EUV 光刻创建的图案而设计。该工具采用低损伤表面处理，可用于多种用途，包括减少即将推出的节点的 EUV 多重图案化使用量、增强线边缘粗糙度以降低性能变化、减少随机光刻缺陷，并终降低芯片制造成本并提高产量。
现代 EUV 光刻工具采用 0.33 数值孔径光学元件（Low NA EUV），曝光即可实现 13 纳米至 16 纳米的临界尺寸，实现大批量生产。印刷 26 纳米金属间距就足够了，对于 3 纳米级工艺技术而言是可以接受的。为了在 2 纳米级生产节点及以上节点印刷金属间距更小的更精细电路，芯片制造商必须使用采用 0.55 数值孔径光学元件（High NA EUV）的 EUV 光刻机、Low NA EUV 双重图案化、应用材料的 Centura Sculpta 图案成型工具，或者现在的东京电子的 Acrevia。
标准的单次 EUV 图案化工艺流程包括八个关键步骤：晶圆沉积、化学机械抛光清洁、光刻、计量、图案蚀刻、清洁、计量和晶圆蚀刻。所有步骤（晶圆蚀刻除外）均重复进行，以进行双重图案化。
然而，双重图案化 EUV 技术带来了新的挑战，包括成本增加、良率可能下降以及生产周期延长。东京电子建议在光刻图案化和随后的干蚀刻步骤之后将其 Acrevia 工具插入工艺技术流程中，而不是双重图案化。如果需要，它也可以用于双重甚至三重 EUV 图案化之后进行改进。
定向气体团簇光束照射图案化特征，以晶圆倾斜角度蚀刻特征侧壁，以调整关键尺寸并细化图案，这在某些情况下将阻止使用 EUV 双重图案化。Acrevia 的晶圆扫描系统基于位置特定处理 (LSP) 技术，可以随时控制蚀刻量，确保出色的晶圆内均匀性校正。
众所周知，EUV 光刻技术会产生随机效应，这是由于 EUV 光刻胶的光子吸收密度低造成的。这些效应会导致随机桥接缺陷和较差的线边缘粗糙度等问题。由于这些缺陷具有随机性，因此很难检测到。即使使用 EUV 双重图案化（本质上可以放宽每个图案的临界尺寸），也无法完全消除这些缺陷。东京电子表示，其图案细化工具可以改善图案侧壁的线边缘粗糙度 (LER) 并减少随机光刻缺陷，从而提高良率。
虽然 Acrevia 工具不会取代双重或三重 EUV 图案化，但它可以减少其使用量并改进图案，从而提高性能和良率，这意义重大。
东京电子 DSS BU 总经理 Hiroshi Ishida 表示：“Acrevia 采用了我们原创的技术，可实现高蚀刻速率和低损伤图案化。在日益具有挑战性的先进图案化领域，Acrevia 使进一步扩大规模成为可能，并限度地提高了生产率。展望未来，我们将继续开发超出客户期望的技术，为半导体器件的进步做出贡献。”
