英特尔2008上海IDF开幕 杨叙指出45纳米技术堪比越王勾践剑
今日，英特尔2008上海IDF正式在上海国际会议中心开幕。此次IDF在上海举办是继去年北京IDF之后，英特尔春季IDF第二次在中国首发。英特尔公司全球副总裁、中国大区总经理杨叙在演讲中演示了一段越王勾践剑的视频，杨叙指出，英特尔公司发展...
分类：名企新闻 时间：2008/4/3 阅读：782 关键词：英特尔
海力士半导体将采用54纳米技术 2012年将全部采用300毫米生产技术
海力士半导体首席执行官KimJong-kap称，该公司打算按计划在今年生产基于54纳米技术的DRAM内存芯片。这将缩小海力士与三星电子的技术差距。据《韩国时报》报道，海力士计划在今年第三季度开始生产基于54纳米的DRAM内存芯片。三星电子计划...
分类：行业趋势 时间：2008/4/1 阅读：898 关键词：半导体
海力士半导体首席执行官KimJong-kap称，该公司打算按计划在今年生产基于54纳米技术的DRAM内存芯片。这将缩小海力士与三星电子的技术差距。据《韩国时报》报道，海力士计划在今年第三季度开始生产基于54纳米的DRAM内存芯片。三星电子计划...
分类：行业趋势 时间：2008/4/1 阅读：613 关键词：三星
尽管太阳能电池的优点很多，但是比普通化石燃料价格昂贵仍然是它的致命伤。美国国家科学基金(NSF)拿出10万美元的奖金资助BlooSolar，想使用纳米技术来广泛提高太阳能电池的输出率，让其能与传统的电力能源竞争。根据公司的介绍该产品称为...
尽管太阳能电池的优点很多，但是比普通化石燃料价格昂贵仍然是它的致命伤。美国国家科学基金(NSF)拿出10万美元的奖金资助BlooSolar，想使用纳米技术来广泛提高太阳能电池的输出率，让其能与传统的电力能源竞争。根据公司的介绍该产品称为...
意法半导体是中国国际广播电视信息网络展览会的常客，今年他们又如期而至。在CCBN2008上，意法半导体展示了他们多款全新的产品以及解决方案，该公司副总裁兼大中国区总裁柯明远表示，他们对中国市场的未来充满信心。“大中国区是意法半导...
为跟上技术进步的发展步伐，2008年半导体生产设备、材料、零部件行业将出现新一轮产品研发热。该行业大举引进的高效率生产技术，挑起了夯实电子产业发展基础的重任。挑战微细化纳米技术最近发表的ITRS(国际半导体技术蓝图)深入分析了今后...
分类：行业趋势 时间：2008/3/6 阅读：849 关键词：半导体
为跟上技术进步的发展步伐，2008年半导体生产设备、材料、零部件行业将出现新一轮产品研发热。该行业大举引进的高效率生产技术，挑起了夯实电子产业发展基础的重任。挑战微细化纳米技术最近发表的ITRS(国际半导体技术蓝图)深入分析了今后...
分类：行业趋势 时间：2008/3/6 阅读：667 关键词：半导体
如果说创新有“心脏”的话，那就是半导体，它的脉搏是摩尔定律。根据摩尔定律，在过去的40年中，芯片产业每18个月就能够将芯片集成的晶体管数量翻一番。这是芯片能够进入办公室、家庭、汽车、玩具，甚至是宠物和我们身体的一个重要原因。...
分类：业界要闻 时间：2008/2/27 阅读：673 关键词：IBM
目前半导体技术的发展趋于极限——正在寻找下一代技术的研究人员一致持此观点。但下一代技术究竟是什么？争论仍在进行中。“半导体技术产业的发展现状表明，现在正是我们需要努力工作以便在下个10年超越摩尔定律的时候。”IBM公司副总裁...
分类：行业趋势 时间：2008/1/28 阅读：134 关键词：CMOS
英飞凌拓宽嵌入式闪存工艺应用范围 授权IBM使用130纳米技术
英飞凌科技股份公司(Infineon)近日宣布与IBM签订协议，拓宽公司成熟的大容量嵌入式闪存制造工艺的应用范围。IBM将获得英飞凌130纳米嵌入式闪存工艺的使用许可，用于在北美地区制造全新的芯片。此外，英飞凌将利用IBM的晶圆代工服务生产基...
分类：业界要闻 时间：2008/1/11 阅读：747 关键词：IBM
印度已经召集由学术界、工业和研究领域的研究人员构成的核心小组，着手开发国家纳米技术政策。中日美英四国在过去几年中均已发起了纳米科技计划，并在研发领域投入巨资。印度因担心落后于中国、日本、美国和英国在纳米技术领域的发展，正...
分类：行业趋势 时间：2008/1/10 阅读：708 关键词：印度
中芯国际与IBM日前联合宣布，中芯国际与IBM已签订45纳米bulkCMOS技术许可协议。这项技术将用于中芯国际的300mm晶圆代工服务。根据该协议，IBM将把45纳米低功耗以及高速bulkCMOS技术转移给中芯国际。其中，45纳米低功耗技术可用于
分类：业界要闻 时间：2007/12/28 阅读：780 关键词：IBM
昨日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）与国际商业机器公司（以下简称“IBM”）联合宣布，双方已签署了一项技术授权协议。根据协议，IBM将向中芯国际授权45纳米大批量CMOS技术，主要用于300毫米晶圆代工服务。而中...
分类：行业趋势 时间：2007/12/27 阅读：321 关键词：IBM
来自IBM的消息称，“高电介质金属栅极”（High-KMentalGate）技术已经有了新的突破。IBM的研发团队经过长期努力，开发出“High-KGate-First”全新制造工艺，这使得32纳米芯片高电介质金属栅极技术成为可能，预期在2009年
