海力士

海力士资讯

三星与海力士共同投资950万美元 合作开发MRAM

据韩国报纸《TheKoreaTimes》报道,三星(Samsung)电子与海力士(Hynix)半导体将合作开发包括MRAM在内的下一代内存器件。据报道,在一个由韩国政府支持的研发项目中,这两家公司将共同投资90亿韩元(合950万美元)。该项目将持续

分类:名企新闻 时间:2008/1/29 阅读:836

海力士亚洲高层大风吹 震撼台模块厂 DRAM跌价风波为导火线 台厂恐面临势力消长

海力士(Hynix)亚洲区高层出现人事大地震!台湾区董事长韩英哲和总经理全英吉闪电换将,其中,韩英哲无预警匆促退休,全英吉则转调上海分公司,该人事命令将于近日正式对外公布,且生效日回溯至2008年1月1日。值得注意的是,这次海力士高...

分类:名企新闻 时间:2008/1/8 阅读:301 关键词:DRAM

海力士半导体将斥资近1.57亿美元提高产能

韩国海力士半导体12月27日表示,将投资1,471亿韩元(1.567亿美元),为现有厂房进行扩充升级。海力士表示,这项投资将提高产能,并增强价格竞争力。该公司在提交给韩国证交所的文件中表示,投资的部分资金将用在研发上。

分类:行业趋势 时间:2007/12/28 阅读:588 关键词:半导体

Gartner:东芝和海力士增长突破20%

市场调研公司Gartner的2007年10大芯片厂商排名。在该公司的排名榜中,预计英特尔(Intel)将再度称雄全球芯片市场,其后依次是三星电子(Samsung)、德州仪器(TI)和意法半导体(ST)。2007年全球半导体销售额比上年增长2.9%,

分类:名企新闻 时间:2007/12/19 阅读:603 关键词:Gartner

40纳米NAND Flash大战将起 海力士48纳米力拼东芝三星

据DigiTimes网站报道,2007年在全球NAND型闪存(Flash)市场竞争中大多处于苦苦追赶状况的海力士(Hynix),为能在2008年与东芝(Toshiba)、三星电子(SamsungElectronics)一较高低,于2007年投入大量

分类:名企新闻 时间:2007/12/18 阅读:645 关键词:FlashNAND

海力士以近八成增长幅度成为Q3 NAND闪存市场增长主力军

市场调研公司iSuppli日前在声明中表示,第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%,达到42亿美元。但iSuppli指出,在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头,本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求,本季度NAND

分类:名企新闻 时间:2007/12/5 阅读:551 关键词:NAND

台积电海力士8英寸设备交易触礁 MagnaChip趁势介入

据DigiTimes网站报道,有意释出8英寸厂二手设备的韩系内存大厂海力士(Hynix),近期与台系晶圆代工厂台积电交易洽谈进展陷入胶着,据半导体业者指出,由于台积电与海力士双方针对设备处分价格及其它外围配套处理作业意见分歧,双方谈判很...

分类:名企新闻 时间:2007/11/30 阅读:665

海力士明年量产54纳米DRAM芯片 效率提升40%

据赛迪网报道,海力士(Hynix)半导体公司本周日表示,它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。据悉,与目前的66纳米工艺相比,54纳米工艺能够将生产效率提高40%。7月份,三星采用50纳米工艺的1GbDRAM芯片通过英特尔的验证。

分类:行业趋势 时间:2007/11/28 阅读:679 关键词:DRAM

海力士明年量产54纳米DRAM芯 效率提40%

11月27日消息,海力士(Hynix)半导体公司本周日表示,它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。据国外媒体报道称,与目前的66纳米工艺相比,54纳米工艺能够将生产效率提高40%。7月份,三星采用50纳米工艺的1GbDRAM芯片通过英特

分类:行业趋势 时间:2007/11/27 阅读:598 关键词:DRAM

海力士54nm 1Gb DDR2 DRAM通过英特尔

海力士半导体(HynixSemiconductor)宣布,采用50纳米级制程的1GbDDR2DRAM芯片已通过英特尔验证,这也标志着DRAM行业芯片制程首次突破60nm。这款基于54nm工艺的芯片将使海力士的生产效率比60nm级制程要高50%,同时

分类:名企新闻 时间:2007/11/26 阅读:684 关键词:DDR2DRAM英特尔

海力士第三季度表现亮眼 成DRAM市场明星

韩国海力士半导体(Hynix)是第三季度全球DRAM产业中的明星厂商,增长速度超过其它主要供应商,并缩小了与头号DRAM厂商三星电子之间的市场份额差距。第三季度海力士半导体的全球DRAM销售收入比第二季度增长19.6%,从15亿美元上升到18亿美元

分类:名企新闻 时间:2007/11/26 阅读:575 关键词:DRAM

三星Q3仍是内存市场老大 海力士表现最抢眼

据外电报道,美国的市场研究公司iSuppli称,三星电子在2007年第三季度继续保持了全球DRAM内存市场排名的位置,但是,市场份额输给了竞争对手海力士半导体。iSuppli称,海力士半导体是第三季度全球半导体市场表现最耀眼的明星,增长率超过...

分类:名企新闻 时间:2007/11/19 阅读:544 关键词:三星

海力士第3季度DRAM市占直逼三星 今年位增长率高达90%

根据集邦科技统(DRAMeXchange)的统计显示,海力士(Hynix)第3季度DRAM营收贡献大增,季度增率高达15.4%,DRAM品牌市占率以23.3%直逼三星电子(SamsungElectronics)的市占率25.5%;若以海力士和茂

分类:名企新闻 时间:2007/11/13 阅读:555 关键词:DRAM

海力士预计明年DRAM出货量将增长50-60%

韩国海力士半导体近日表示,预计2008年动态随机存取存储器(DRAM)芯片出货量将增长50-60%。海力士预估,2008年NAND快闪存储器出货量将较今年激增110-120%。同时,该公司预计第四季度NAND快闪存储器价格将温和下跌。该公司同时指出

分类:行业趋势 时间:2007/10/25 阅读:518 关键词:DRAM

海力士增收减益 DRAM价格稳定而NAND闪存价格下滑

韩国海力士半导体2007年7月~9月的结算出现增收减益。销售额比上年同期增长24%,达到2.44万亿韩元,营业利润同比减少44%,为2540亿韩元,纯利润同比减少54%,为1700亿韩元。按比特换算,DRAM供货量比上季度高出17%。原因是个人电脑

分类:维库行情 时间:2007/10/23 阅读:164 关键词:DRAMNAND