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三星本月拟向 AMD、英伟达供 HBM4 样品,挑战 SK 海力士市场地位

据韩媒《亚洲日报》报道,三星正积极筹备,计划在本月底之前向 AMD、英伟达等行业巨头提供 HBM4 样品。这一举动预示着存储芯片市场将迎来一场新的竞争风暴。  回顾过往,三星在 HBM(高带宽内存)市场的发展历程可谓充满挑战。在 HBM3 ...

分类:业界动态 时间:2025/7/22 阅读:139 关键词:三星 SK 海力士

SK 海力士发力封装测试,清州新建工厂提升竞争力

韩国芯片制造巨头 SK 海力士近日宣布了一项重要战略举措,将在忠清北道清州市建设第七个半导体后处理设施,旨在进一步提升其半导体封装和测试能力。  据业内人士 6 月 24...

分类:名企新闻 时间:2025/6/25 阅读:224 关键词:SK 海力士

美国计划撤销半导体豁免政策,涉及台积电、三星、SK海力士

根据《华尔街日报》消息,美国拟取消对台积电、三星、SK海力士等企业在华使用美国技术的豁免政策。据悉,美国商务部工业和安全局(BIS)副部长杰弗里·凯斯勒(Jeffrey Kes...

分类:业界要闻 时间:2025/6/24 阅读:1212 关键词:半导体台积电三星SK海力士

SK 海力士登顶 DRAM 营收,三星电子借良品率改善谋翻身

在全球半导体市场的激烈竞争中,动态随机存取存储器(DRAM)领域的格局近期发生了显著变化。此前,市场研究机构发布的报告显示,受人工智能领域对高带宽存储器(HBM)强劲...

分类:业界动态 时间:2025/6/21 阅读:220 关键词:SK 海力士

SK 海力士筹备为亚马逊供应 12 层 HBM3E 内存

在人工智能浪潮席卷全球的当下,高带宽内存(HBM)市场的竞争愈发激烈。继英伟达之后,亚马逊旗下的 AWS 成为 SK 海力士 HBM 业务的又一关键客户。随着全球范围内对 AI 数...

分类:名企新闻 时间:2025/6/18 阅读:199 关键词:SK 海力士HBM3E内存

SK 海力士聚焦 HBM 商机,暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道,在 HBM(高带宽内存)市场占据领先地位的 SK 海力士,对其下一代 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存量产线的设备采购节奏...

分类:名企新闻 时间:2025/6/17 阅读:350 关键词:SK 海力士

SK 海力士聚焦 HBM 市场,搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划

据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道,在 HBM(高带宽内存)市场占据领先地位的 SK 海力士,对下代 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调...

分类:名企新闻 时间:2025/6/16 阅读:441 关键词:SK 海力士

美光/安靠/SK海力士在美建厂延期,日损500万美元

据SemiAnalysis报道,这些项目包括安靠公司在亚利桑那州的先进封装工厂、美光公司在纽约的 DRAM 工厂,以及 SK 海力士在印第安纳州的 HBM 工厂。  当地人反对安靠的工厂...

分类:业界动态 时间:2025/6/16 阅读:320 关键词:美光安靠SK海力士

SK 海力士公布 DRAM 长期路线图,聚焦 10nm 以下技术

据 ZDNet 报道,继 3 月份推出 12 层 HBM4 样品后,SK 海力士在 6 月 8 日至 12 日于京都举行的 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上,公布了长期 DRAM 路线图和可持续发展愿景,着...

分类:业界动态 时间:2025/6/11 阅读:253 关键词:SK 海力士

SK 海力士首超三星,一季度成全球 DRAM 营收冠军

外媒报道显示,得益于向英伟达大量供应高带宽存储器(HBM),SK 海力士的 DRAM 业务营收显著提升,进而推动了整体业绩增长。 市场研究机构发布的最新报告表明,在强劲的 ...

分类:业界动态 时间:2025/6/5 阅读:215 关键词: DRAM

SK 海力士一季度首次登顶 TrendForce 季度 DRAM 产业营收榜

TrendForce 集邦咨询公布了 2025 年第一季全球 DRAM 厂自有品牌内存营收排名,SK 海力士首次登上季度内存营收榜首的位置,此前 Counterpoint 的统计也呈现出类似的趋势。 ...

分类:业界动态 时间:2025/6/4 阅读:249 关键词:SK 海力士

三星豪投 HBM4,借 1c DRAM 挑战 SK 海力士市场霸主

近日,有消息传出,三星正通过激进投资策略,试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距,挑战其霸主地位。  科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道,三星计划在韩国华城...

分类:业界动态 时间:2025/5/23 阅读:242 关键词:三星DRAM

SK 海力士突破:321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世

根据媒体报道,SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存的移动端...

分类:名企新闻 时间:2025/5/22 阅读:239 关键词:SK 海力士

HBM爆火:SK海力士,再超三星

根据外媒报道,台积电在芯片制造市场的份额一直在增加,公司的资本支出(CapEx)也在增加,自 2015 年以来增长了五倍。该公司计划在 2025 年投资 380 亿美元至 420 亿美元...

分类:业界动态 时间:2025/5/17 阅读:522 关键词:SK海力士三星

HBM 需求旺,SK 海力士一季度美销售占比达 72%

根据IT之家报道,今年第一季度,该公司在营收和利润方面取得了显著增长,同时其市场销售格局也发生了明显变化。  一季度业绩亮眼  今年第 1 季度,SK 海力士合并收入达...

分类:业界动态 时间:2025/5/16 阅读:279 关键词:SK 海力士