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海力士半导体预期DRAM业在7、8月好转

5月16日,据香港媒体报道,海力士半导体高层主管今日表示,公司正处于电脑芯片不景气的低潮期,但是有望在7月或者8月开始得到好转。海力士策略规划资深副总裁O.C.Kwon对媒体表示,目前,移动存储设备的价格尚没有止跌,但是希望下半年通...

分类:名企新闻 时间:2007/5/17 阅读:815 关键词:DRAM半导体

海力士将海力士-意法中国合资企业的持股比例提高到83%

据新华社在线报道,意法半导体在其与海力士的无锡芯片制造合资企业中的持股比例将减少至16.6%。韩国DRAM与闪存制造商海力士表示,它将向海力士-意法半导体(Hynix-STSemiconductor)有限公司追加2.5亿美元投资。报道援引海力士向监

时间:2007/5/16 阅读:212

海力士威胁三星地位 DRAM市场份额战一触即发

据市场调研公司GartnerDataquest,韩国三星在DRAM市场的份额程度已降至七年点,为应对这种局面,今年该公司把产量扩大了近100%。GartnerDataquest的半导体业务副总裁AndrewNorwood警告,此举可能使产业

分类:名企新闻 时间:2007/5/8 阅读:794 关键词:DRAM

海力士威胁三星龙头地位 DRAM市场份额战一触即发

据市场调研公司GartnerDataquest,韩国三星在DRAM市场的份额程度已降至七年点,为应对这种局面,今年该公司把产量扩大了近100%。GartnerDataquest的半导体业务副总裁AndrewNorwood警告,此举可能使产业

时间:2007/5/8 阅读:662 关键词:DRAM

海力士半导体拟投50亿美元建造新厂提升产能

26日,韩国海力士半导体表示,计划投资4.6万亿韩元(合约49.7亿美元)建造新厂,并扩张现有生产线。海力士为全球第二大动态随机存取记忆体(DRAM)制造商。该公司在提交韩国证交所的文件中表示,将投资3.8兆韩元在国内建造12寸晶圆新厂,并在20...

分类:名企新闻 时间:2007/4/27 阅读:758 关键词:半导体

IDF07:海力士展示2G DDR3与GDDR4产品

以“多重动力,携手创新”为主题的英特尔2007年首场信息技术峰会(IntelDeveloperForum,简称IDF)于昨天在北京国际会议中心正式开幕。今年是英特尔次将年度首场IDF选在美国之外举行,也是在中国举办的规模的一次峰会。在展会上

分类:新品快报 时间:2007/4/18 阅读:788 关键词:DDR3

海力士正式量产融合式内存“DOC H3”

韩国海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)首款融合式内存产品“DOC(DiskOnChip)H3”正式开始量产。该公司宣布计划到2010年实现融合式内存的累计销售额达10亿美元,表示正式将融合式内存投放市场。韩国三星电子也

分类:名企新闻 时间:2007/4/16 阅读:201

06年半导体市场各厂商份额 海力士、AMD增幅显著

美国Gartner公布,2006年的半导体全球市场销售额比上年增加10.2%,达到了2626亿9000万美元(英文发布资料)。市场总体增长缓慢,个人电脑处理器等传统产品市场陷入低迷,抵消了DRAM和无线通信设备用产品等新市场的增长。从2006年各厂

分类:业界要闻 时间:2007/4/12 阅读:766 关键词:AMD半导体

海力士:第四季度DRAM内存芯片均价上涨9%

海力士半导体周三表示,该公司第四季度DRAM内存平均价格上涨9%,第三季度季涨幅也为9%。NAND型闪存第四季度跌价11%,第三季则为下跌24%。微软Vista的发布,将推动PC内存需求水涨船高,DRAM内存有望在07年表现坚挺。

分类:维库行情 时间:2007/4/12 阅读:1062 关键词:DRAM

海力士与SanDisk结盟的背后……

产业观察家已经在思考韩国海力士半导体与美国SanDisk签署交叉授权协议的意义。这两家公司计划设计和生产基于每单元四位x4闪存技术的闪存及NAND存储系统。ObjectiveAnalysis的分析师JimHandy专门对上述合作进行了分析,揭示了它

分类:业界要闻 时间:2007/4/4 阅读:694

SanDisk和海力士结盟NAND,牵动内存供应链上众巨头

SanDisk公司和海力士半导体(Hynix)将合资采用每单元四比特x4闪存技术来开发并生产闪存和NAND存储系统。在此之前,双方日前已签订了一项有关闪存专利交叉授权协议,结束了长期的争端。但双方都没有透露关于此次合资项目的细节。此次合作的...

分类:业界要闻 时间:2007/3/28 阅读:922 关键词:NAND

海力士和SanDisk签署闪存合作合同

韩国海力士半导体和美国SanDisk就双方拥有的闪存技术专利的相互授权和产品供应签订了合同。同时双方还就合资成立NAND型半导体生产销售公司达成了协议。合资公司将由双方对半出资,由海力士负责生产。双方今后将致力于NAND型闪存4bit/单元...

分类:业界要闻 时间:2007/3/27 阅读:348

海力士半导体发布“生态保护标志”

韩国海力士半导体(hynixsemiconductor)3月19日发布了代表环保半导体产品的生态保护标志(ecologymark)。该公司预定从4月开始,在遵循欧洲环境指令rohs的产品以及今后不使用溴和氯等卤族元素等有害物质的产品上加贴此标志。海

分类:名企新闻 时间:2007/3/26 阅读:835 关键词:半导体

海力士半导体与东芝签署交叉许可协议

路透社消息,海力士半导体(HynixSemiconductor)和东芝公司星期二宣布签署了一项交叉许可协议,从而了结了二者之间因NAND闪存芯片专利引起的法律纷争。海力士今后将向东芝供应用于数码相机和便携式媒体播放器的NAND记忆芯片,双方公司没...

时间:2007/3/21 阅读:687 关键词:半导体

、关税纠缠不清 东芝海力士对薄公堂

美国国际贸易委员会(ITC)日前表示,它将应日本东芝的请求,调查韩国海力士半导体(HynixSemiconductorInc.)生产的某些NAND闪存器件的销售与进口情况。ITC表示,东芝声称这些海力士器件的进口与销售违反了1930年美国关税法案。

时间:2007/2/28 阅读:188 关键词:东芝专利