全新1200 V器件提供领先市场的导通和开关性能 领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型...
分类：新品快报 时间：2023/3/22 阅读：623 关键词：安森美
近期，IGBT成为了半导体行业中唯一能够大涨价、供不应求的产品。这主要是因为在电动车和太阳能光伏等应用需求大增的背景下，现阶段IGBT供应量有限，而需求却十分旺盛。 据业者分析，IGBT大缺货主要有两个原因：一是太阳能逆变器采用IG...
分类：业界动态 时间：2023/3/20 阅读：799 关键词：IGBT
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开...
分类：新品快报 时间：2023/3/10 阅读：293 关键词：IGBT
IDC 谏早电子开发的HVIGBT驱动 VLB517-01R 可驱动4.5kV/1500A级 HVIGBT模组
本产品是能直接驱动4.5V/1500A级, 3.3kV/1800A级10.2kV绝缘耐压IGBT模组的1电路驱动。 【目标IGBT模组】 ●4.5kV系列、～1500A级 ＊CM1200HG-90R（三菱电机制HVIGBT模组） ＊CM1350HG-90X（三菱电机制HVIGBT模组） ＊CM15...
时间：2023/2/17 阅读：106 关键词：电子
IDC 谏早电子开发的IGBT 栅极驱动器IC RT8H102C 内置UVLO功能，电源电压20V系统最佳规格！
本产品内部UVLO电路，电源电压约14.2V或以上开始运行，电源电压约12.4V或以下时停止。按IGBT驱动器的电路结构，GATEIN引脚当Low→High时，电压变化2.9V或更高时，B端子输出Low信号。 此外，当High→Low施加到 GATEIN引脚时，当电压降...
时间：2023/2/17 阅读：313 关键词：电子
IDC 谏早电子开发的IGBT驱动 GAU220P-15402 可使用2並列驱动1700V/1200A级IGBT模组
本产品是能直接驱动1700V/1800A级的內置2电路驱动。 【目标IGBT模组】 ●600/650V系列、～600A级 ●1200V系列、～1400A级 ●1700V系列、～1800A级 □外形 ●尺寸 ●外观 □连接图（三菱电机制造的LV100） □...
时间：2023/2/17 阅读：111 关键词：电子
IDC 谏早电子开发的IGBT驱动 GAU240P-15405 可使用4並列驱动1700V/1200A级IGBT模组
本产品是能直接驱动1700V/3600A级的內置2电路驱动。 【目标IGBT模组】 ●600/650V系列、～600A级 ●1200V系列、～3600A级 ●1700V系列、～3600A级 □外形 ●尺寸 80x130x46(mm) ●外观 □连接图（三菱电机制造的...
时间：2023/2/17 阅读：103 关键词：电子
IDC 谏早电子开发的HVIGBT驱动 VLA557-03R 可使用4並列驱动3300V/600A级HVIGBT模组
本产品是能直接驱动3300V/600A级的內置1电路驱动。 【目标IGBT模组】 ●3300V系列、～600A级 ＊CM450DA-66X （三菱電機㈱製HVIGBT模组） ＊CM600DA-66X （三菱電機㈱製HVIGBT模组） □外形 ●尺寸 83x150x21(mm) ...
时间：2023/2/17 阅读：111 关键词：电子
IDC 谏早电子开发的内置断电电路的IGBT栅极驱动器IC RT8H112C 通过内置断电电路可以降低功耗！
内置停电电路，通过改变施加在ON/OFF端子上的电压，可以控制外部产品的运行开始/停止的产品。 内置UVLO电路，电源电压约12V以上时开始动作，电源电压约10V以下时停止。此外，它具有作为IGBT驱动器的电路配置，从Low到High施加到GATEIN...
时间：2023/2/15 阅读：239 关键词：电子
Renesas - 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变...
分类：新品快报 时间：2023/2/10 阅读：314 关键词：电子
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车...
分类：新品快报 时间：2023/2/1 阅读：338 关键词：IGBT
基于TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK 的兆瓦级T型三电平桥臂模块组
基于TRENCHSTOPIGBT7的PrimePACK 1500V直流NPC2三电平桥臂模块组，风冷条件下系统功率1.8MW。 产品描述： FF1800R23IE7，FF1800R23IE7P 1800A 2300V 半桥 FF2400...
分类：新品快报 时间：2022/12/15 阅读：508
IGBT兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，被广泛应用在工业控制、新能源汽车、光伏风电、变频白电、...
分类：业界动态 时间：2022/12/7 阅读：456 关键词：IGBT
在业界，芯片价格下降，库存过剩，但是根据消息汽车（IGBT）还有功率IC却供应紧张 英飞凌、意法半导体、安森美等汽车ic供应紧张，因为汽车IGBT交货周期长，时间长40-50周，供应缺货为40%-50%
分类：业界动态 时间：2022/11/3 阅读：584 关键词：IGBT
Renesas瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT 全新功率器件将在瑞萨新落成的300mm甲府工厂生产
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日...
分类：新品快报 时间：2022/10/26 阅读：193 关键词：电子
