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STMicroelectronics推出新款100V晶体管

STMicroelectronics-意法半导体(ST)新款100V晶体管提高汽车应用能效中国,2014年9月16日——意法半导体的STripFET?F7系列低压功率MOSFET产品新添三款100V汽车级产品。STH315N10F7-2、ST

分类:新品快报 时间:2014/9/22 阅读:668 关键词:STMicroelectronics晶体管

东芝推出新隧穿场效应晶体管

东芝面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用到一些电路块中,可实现大幅降低MCU的功耗。9月9日和10日,东芝在

分类:新品快报 时间:2014/9/19 阅读:1100 关键词:晶体管

Diodes稳压器晶体管提升48V电路系统功率密度

Diodes稳压器晶体管提升48V电路系统功率密度Diodes公司(DiodesIncorporated)为针对网络、电信和以太网供电(PoweroverEthernet,简称PoE)设备内48V电路,推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR

分类:新品快报 时间:2014/8/28 阅读:140 关键词:Diodes晶体管稳压器

Diodes新发布稳压器晶体管XTR2000

Diodes公司(DiodesIncorporated)为针对网络、电信和以太网供电(PoweroverEthernet,简称PoE)设备内48V电路,推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。这些稳压器晶体管通过把几个分立元件单

分类:行业趋势 时间:2014/8/21 阅读:528 关键词:Diodes晶体管稳压器

IBM计划2020年实现CNT电晶体

过去二十几年来,IBM已经为制作1.4nm的微型碳奈米管尝试过几乎每一种可能性了,期望能找到延续矽电晶体通道的方法。时至今日,最小的矽电晶体已经达到原子极限了——例如,...

分类:名企新闻 时间:2014/7/7 阅读:319 关键词:IBM

我国成功制备二维黑磷场效应晶体管

记者从中国科学技术大学获悉,该校微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作,在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展,成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管...

分类:新品快报 时间:2014/6/18 阅读:330 关键词:晶体管

ROHM开发出比以往产品小50%的世界最小晶体管“VML0604”

~不仅实现更低导通电阻,还非常有助于智能手机和可穿戴式设备的小型化与高性能化~【ROHM半导体(上海)有限公司3月25日上海讯】日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子...

分类:新品快报 时间:2014/5/16 阅读:219 关键词:ROHM晶体管

麦瑞半导体推出超低抖动FUSION晶体振荡器

高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业麦瑞半导体公司(纳斯达克股票代码:MCRL)于2014年5月6日推出MX55/57FUSION晶体振荡器时钟(XO)解决方案。这些器件采用标准的5毫米×7毫米或3.2毫米×5

分类:新品快报 时间:2014/5/8 阅读:1610 关键词:半导体振荡器

“VML0604” 世界上最小的晶体管

现如今,智能手机和可穿戴式设备不断普及,其市场需求也不断扩大,随之而来的是对配套设备和所搭载的电子元器件要求的不断提升,要求配套设备小型化、高性能化,要求所搭载的电子元器件小型化、薄型化。根据市场需求,日本半导体制造商RO...

分类:新品快报 时间:2014/3/26 阅读:567 关键词:晶体管

往左还是往右?晶体技术该往哪儿走?

在近期内,从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术,有望可缩小到10nm节点。但是到7nm及以下时,目前的CMOS工艺路线图已经不十分清晰。半导体业已经探索了一些下一代晶体...

分类:行业趋势 时间:2014/2/27 阅读:638 关键词:晶体

苏州能讯推出新型氮化镓微波功放晶体管产品

本周二,国内商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业,苏州能讯高能半导体有限公司(DynaxSemiconductorInc.)发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品。这款产品将助力通讯系统设备制...

分类:名企新闻 时间:2014/1/24 阅读:783 关键词:晶体管

NXP推出首款无铅塑料封装的3 A晶体管

恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V.)近日推出首款采用1.1-mmx1-mmx0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力提升至3.

分类:新品快报 时间:2013/12/19 阅读:163 关键词:NXP晶体管

美高森美推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅

致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation)推出新型750WRF晶体管扩展其基于碳化硅(siliconcarbide,SiC)衬底氮化镓(galliumnitride,Ga

分类:新品快报 时间:2013/12/17 阅读:810 关键词:晶体管碳化硅

NXP全新封装的晶体管由25种器件组成

恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V.)近日推出首款采用1.1-mmx1-mmx0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDSonMOSFET以及可将电流能力提升至3.

分类:新品快报 时间:2013/11/5 阅读:763 关键词:NXP晶体管

泰艺电子提供OX/OY系列晶体振荡器

泰艺电子,频率控制方案的供货商,现发布宽温OX/OY系列产品,其工作温度范围扩大到-40℃至+125℃,可适用于严苛环境下的各种应用,例如石油钻探、地热测量、航空航天、汽车以及户外通信装置等。泰艺电子逾30多年的高稳定性晶体振荡器的设...

分类:新品快报 时间:2013/10/30 阅读:480 关键词:振荡器