SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。 SK海...
国内研法的32层3DNAND闪存芯片已经大规模生产？对于国产你期待吗？
紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露，紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内颗32层3DNAND闪存芯片，将在2018年...
国产芯片新进展，紫光赵伟国：2019年将量产64层128Gb 3D NAND
今日，紫光集团董事长赵伟国透露，紫光将在2018年底量产32层64Gb的3D NAND，2019年量产64层128Gb的3D NAND，并同步研发128层256Gb的3D NAND。 就目前中...
记者获悉，8月23日，首届中国国际智能产业博览会重庆开幕。会上，紫光集团遴选出近百枚芯片，组成一面"紫光芯片大观"墙，涵盖从手机各类SoC到物联网芯片、FPGA等多个领域。其中32层3D NAND闪存芯片备受瞩目，这是紫光集团旗下长江存储耗...
分类：名企新闻 时间：2018/8/24 阅读：601 关键词：NAND闪存芯片
长江存储首次弯道超车！重磅发布Xtacking技术，下一代64层3D NAND有望快3倍
近日在美国举办的Flash Memory Summit上，长江存储正式公布了在3D NAND构架上的技术——Xtacking。它的主要特点是可以把外围电路置于存储单元之上，实现更高的存储密度，从...
分类：新品快报 时间：2018/8/9 阅读：641 关键词：Xtacking技术长江存储
长江存储3D NAND新技术架构生产周期缩短20%， 预计2019年量产
8月7日，长江存储公布了其新开发的3D NAND架构Xtacking的技术细节。该技术将为3D NAND闪存带来更优的I/O性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。 ...
分类：行业趋势 时间：2018/8/8 阅读：590 关键词：3D NAND新技术
历时两年！首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产
近日，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。 刁石京表示，中国芯片技术落后于世界，但自主研发的脚步始终没有停止，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国...
实现闪存行业划时代跃进！长江存储将首次公布新型3D NAND架构
实现闪存行业划时代跃进！长江存储将首次公布新型3D NAND架构Xtacking 近日长江存储官方透露，将于8月份在美国首次公布新型3D NAND架构Xtacking，据称该技术可将NAND...
东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，而两家合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（简称QLC）产品。其中仍在使用TLC的东芝公司发布一款三级单元...
分类：新品快报 时间：2018/7/25 阅读：517 关键词：3D NAND闪存
近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。近两年3D NAND发展速度十分迅猛，2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行...
3D NAND的堆叠大战正在如火如荼地进行。如果说几家国际闪存大厂，如三星、美光、东芝、西数、SK海力士当前推向市场的主流产品是64层(或72层)3D NAND，那么明年就将跨入96层。在近日举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上，应用材料公司预...
集微网消息，市场对于3D NAND的需求有多大，从这一市场的竞争激烈程度可见一斑! 2018年5月29日，援引韩国媒体报道，三星计划在2018年提升目前64层3D NAND产品的比重，并与今年年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至...
分类：行业趋势 时间：2018/5/30 阅读：386 关键词：3D NAND
2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道：中国代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产。 ...
分类：业界动态 时间：2018/5/17 阅读：748 关键词：NAND Flash存储芯片
英特尔与美光在3D NAND 96层后终止合作，将各自寻找合作伙伴
英特尔与美光于2018年1月8日共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研发后，双方将开启各自的研发之路，双方目前共同研发的第二代产品为64层3D NAND Flash，预计第三代将可堆栈96层，也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发，Intel将正式...
美光科技宣布推出适用于旗舰级智能手机的移动 3D NAND 解决方案
美光科技有限公司（纳斯达克代码：MU）今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品，这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。 该全新移...
