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现代预期07年内存芯片售价将下跌30%

受到微软发布Vista操作系统的影响,DRAM的需求在2006年第四季度大增,因此,DRAM的销量也得到了一个增长。在最近的一个投资会议上,现代半导体的管理人员表示,他们预期,在2007年,DRAM的平均售价将下滑30%。从2007年整年来看,DR

分类:行业趋势 时间:2007/2/9 阅读:124 关键词:现代

手机不行内存芯片补 英飞凌Q1两年首扭亏为盈

据国外媒体报道,1月29日,德国芯片巨头英飞凌公司发布了财季财务报告,由于控股子公司Qimonda表现抢眼,英飞凌财季从2005年同期的亏损1.83亿欧元变为盈利1.2亿欧元,是七个季度亏损后次盈利。财季(去年第四自然季),英飞凌公

分类:业界动态 时间:2007/1/30 阅读:762 关键词:英飞凌

Vista将推动内存芯片销售增长

1月24日消息,据接近亚洲内存芯片厂商的分析师称,即将推出的微软WindowsVista操作系统将推动DRAM内存芯片销售的强劲增长。但是,尽管有很高的需求,由于厂商扩大生产能力,内存芯片的价格将继续下降。韩国投资与证券公司分析师MichaelHo

时间:2007/1/26 阅读:564 关键词:Vista

Vista推动内存芯片销售增长 内存芯片下降

据接近亚洲内存芯片厂商的分析师称,即将推出的微软WindowsVista操作系统将推动DRAM内存芯片销售的强劲增长。但是,尽管有很高的需求,由于厂商扩大生产能力,内存芯片的价格将继续下降。韩国投资与证券公司分析师MichaelHoosikMin称

分类:业界要闻 时间:2007/1/25 阅读:635 关键词:Vista

Vista将推动内存芯片销售增长 内存芯片下降

1月24日消息,据接近亚洲内存芯片厂商的分析师称,即将推出的微软WindowsVista操作系统将推动DRAM内存芯片销售的强劲增长。但是,尽管有很高的需求,由于厂商扩大生产能力,内存芯片的价格将继续下降。韩国投资与证券公司分析师MichaelHo

分类:名企新闻 时间:2007/1/24 阅读:770 关键词:Vista

Vista将推动内存芯片销售强劲增长

1月24日消息,据接近亚洲内存芯片厂商的分析师称,即将推出的微软WindowsVista操作系统将推动DRAM内存芯片销售的强劲增长。但是,尽管有很高的需求,由于厂商扩大生产能力,内存芯片的价格将继续下降。韩国投资与证券公司分析师MichaelHo

分类:新品快报 时间:2007/1/24 阅读:784 关键词:Vista

三星今年拟投资19亿美元 扩大内存芯片产能

据国外媒体报道,韩国三星电子周一表示,公司今年将投资19亿美元,扩大其计算机内存芯片产能。全球的内存芯片制造商三星周一表示,公司将投资9900亿韩元(约合10.5亿美元),升级其现有内存芯片制造厂设备,并扩大其产能。除此之外,三星还...

分类:名企新闻 时间:2007/1/23 阅读:892 关键词:三星

忧喜参半:内存芯片需求旺盛可能导致供应紧张

美国半导体产业协会(SIA)总裁GeorgeScalise日前发出警告,有迹象显示内存芯片正在因芯片需求旺盛而进入供应紧张状态。仅仅就在一个月以前,他还警告称“经济放缓可能对未来几个月的半导体销售造成影响”。GeorgeScalise在宣布11月半

时间:2007/1/9 阅读:643

尔必达量产70nm内存芯片,明年Q1出货

内存厂商尔必达(Elpida)公司日前宣布,其设于日本广岛的Fab工厂已开始采用70nm制程大量生产512Mb和1Gb的SDRAM内存芯片,预计可在2007年第1季度首度出货。目前市面上的多数内存都基于90nm制程,制造工艺向70nm转移不仅将内存

分类:新品快报 时间:2006/12/29 阅读:764

日本厂商已开始量产70nm DDR2内存芯片

日本内存厂商尔必达(Elpida)官方网站宣布已经在业界率先开始量产70nm工艺的DDR2SDRAM内存芯片。此前三星也曾在去年底宣布成功研制出70nm工艺的512MbDDR2内存芯片,投产后的晶圆良率可比90nm工艺高出100%,不过至今仍未投入

分类:业界要闻 时间:2006/12/27 阅读:251 关键词:DDR2

内存市场: 内存芯片价格三星电子美高官已承认操纵

据悉,前三星电子美国分公司的一位高官已经在美国司法部门的调查下,承认了一项违法联合操控内存芯片价格的罪名,这一消息是今日由台湾的业界人士所传。据介绍,美国司法部门今年10月14日称三星电子已经承认,它曾联合其它厂商违法操控内...

时间:2006/12/25 阅读:627 关键词:三星电子

现代开发出世界最快PC内存芯片 明年大规模生产

日前,韩国现代(Hynix)半导体公司宣称,已开发出世界上最快的PC内存芯片。Hynix采用60纳米技术开发这种新型芯片,并已经过了英特尔实施的认证测试。Hynix表示,将于明年开始大规模生产这种芯片。Hynix表示,公司开发的1G、300赫兹的D

分类:新品快报 时间:2006/12/21 阅读:1029 关键词:现代

三星开发出首款聚合内存芯片 功耗降低超30%

12月14日消息,韩国三星电子日前宣布,已经成功开发出超高能效的闪存芯片,该芯片的面世意味着未来的移动产品将变得更为轻便。据english.yna.co.kr报道,该内存属于聚合内存范畴,容量达到512MB,与此同时,在提供高容量的前提下,聚合

分类:新品快报 时间:2006/12/15 阅读:721 关键词:三星

新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍

据国外媒体报道,由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示,已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料;与当前常用的闪存相比,相变内存运行速度高于前者500~1000倍,能耗也将大

分类:新品快报 时间:2006/12/13 阅读:341

现代研发出最快最小手机内存芯片 频率达200MHz

12月5日消息,韩国现代半导体日前宣布,已经开发出全球最快、体积最小的手机芯片产品。据法新社报道,此款手机芯片属于DRAM格式,容量为512兆,也是目前世界上速度最快体积最小的手机存储芯片。据现代半导体透露,该芯片的数据处理速度比...

分类:新品快报 时间:2006/12/5 阅读:1108